第一原理計算による超低RA(<0.5Ωμm2)トンネル接合の検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
We have investigated magnetotransport properties of magnetic tunnel junctions (MTJ) with rock-salt type ZnO(001) or MgO/ZnO(001) barriers by both calculation and experiments. The first-principles transmission calculations based on NEGF method clarifed that the MgO/ZnO barrier had coherent tunneling through Δ1 state such as a conventional MgO(001) barrier. Experimental results revealed that the MTJs with an MgO/ZnO barrier had an MR ratio of 70% at a low resistance-area(RA) product of 0.5Ωμm2. This MR ratio is almost the same as the MgO barrier or higher. The rock-salt type ZnO(001)-based MTJs seem to be suitable for application to the read magnetic heads of hard-disk drives (HDDs) with an areal recording density of over 500Gbits/in2.
著者
-
金井 均
富士通株式会社
-
上原 裕二
富士通株式会社
-
宮島 豊生
株式会社富士通研究所ナノ電子材料研究部
-
古屋 篤史
富士通アドバンストテクノロジー株式会社
-
須永 和晋
富士通株式会社
-
古屋 篤史
富士通
-
宮島 豊生
株式会社富士通研究所
関連論文
- TMRヘッドにおけるマグノイズ解析(磁気記録)
- シミュレーションによるTMRヘッドのマグノイズスペクトル解析(磁気記録)
- SPT垂直ライトヘッドにおける反強磁性結合多層膜の膜構成最適化検討(磁気記録)
- CuAu-IPdPtMn反強磁性膜の交換結合とスピンバルブ膜特性
- TEMによるPdPtMnスピンバルブ膜の局所構造解析
- CoCr系媒体を用いた20Gb/in^2記録デモンストレーション
- 第一原理計算による超低RA(
- スピンバルブヘッド, 低ノイズCo-Cr-Pt-Ta-Nb/Cr-Mo媒体ならびに(1,7)NBPRによる8Gb/in^2記録の検討
- 携帯電話用CoFeB磁性薄膜方向性結合器の大振幅信号伝送特性(計測・高周波デバイス)
- 携帯電話用CoFeB磁性薄膜方向性結合器の大振幅信号伝送特性の評価
- CoFeB磁性薄膜伝送線路を用いたマイクロ波帯π型ローパスフィルタの試作
- CoFeB磁性薄膜を用いた携帯電話RF回路用方向性結合器の特性改善
- 磁性薄膜/誘電体膜積層ハイブリッド伝送線路方向性結合器の特性解析
- AlHf合金バリアを用いたTMR積層膜の諸特性
- 携帯電話用磁性薄膜方向性結合器の基礎検討
- 携帯電話PA用インピーダンス整合器への適用を目的としたCoFeB/ポリイミドハイブリッド薄膜コプレーナ線路の低損失化
- FeCo電析薄膜の磁気特性と結晶構造に及ぼす下地層の影響(ソフト磁性材料)
- HDD記録ヘッド用高B_s磁性材料
- HDD記録ヘッド用高B_s磁性材料(HDD及び一般)
- FeCo電析薄膜の磁気特性に対する下地層の影響
- CoFeB/ポリイミドハイブリッド薄膜コプレーナ線路を用いたGHz帯ローパスフィルタの試作
- CoFeB/ポリイミドハイブリッド薄膜コプレーナ線路を用いた1.8GHz帯携帯電話PA用インピーダンス整合器の低損失化の検討
- 高性能ライトヘッド用高B_s軟磁性材料
- スパッタFe_Co_二元合金膜における軟磁気特性の膜厚依存性
- 高比抵抗軟磁性膜を用いたフラットトップライトヘッド
- 高性能ライトヘッド用Bs=2.4T軟磁性材料
- [Fe_Co_/M]_n超格子膜における結晶性と磁気モーメント
- [Fe_Co_/M]_n超格子膜における結晶性と磁気モーメント(磁気記録に関わる材料及びシステムの開発と評価)
- 携帯電話PA用インピーダンス整合器への適用を目的としたCoFeB/ポリイミドハイブリッド薄膜コプレーナ線路の低損失化
- NiFe/Cu/NiFe積層薄膜による磁気-インピーダンス効果センサヘッド
- [Fe_Co_/M]_n超格子膜における結晶性と磁気モーメント
- 強磁性/非磁性/反強磁性膜における層間結合作用とスピンバルブ膜への応用
- PdPtMn/CoFeB積層フェリピン・スピンバルブヘッドと20Gbit/in^2記録
- スピンバルブにおけるバイアス改善の検討
- PdPtMn/CoFeBスピンバルブ膜の熱劣化
- PdPtMnスピンバルブ膜の下地の検討
- スピンバルブヘッドの再生特性におよぼす要因
- スピンバルブ素子における磁性層間相互作用とバイアス特性
- FeCo電析薄膜のBsに対する膜中微量元素の影響
- GMRヘッドシミュレーションシステム:3D-GMRSIM (特集:インターネット時代の開発スピードを実現する設計シミュレーション) -- (電磁界シミュレーション)
- スピンバブルヘッドにおける再生コア幅の検討
- ESDによるスピンバルブヘッドのピン層磁化反転過程
- ESDによるスピンバルブヘッドの局所的ピン層磁化反転
- Spin-valve GMR ヘッドのマグノイズ解析
- SPT垂直ライトヘッドにおける反強磁性結合多層膜の膜構成最適化検討
- 有限要素法によるマイクロ磁化解析シミュレータの開発
- 3次元形状シミュレータによるMRヘッドプロセス解析
- 反強磁性結合多層膜 単磁極垂直ライトヘッドの膜厚最適化検討
- NiFe/Co_Fe_スピンバルブ膜の耐熱性
- NiFe/FeMn膜の交換結合における熱処理の効果
- NiFe/FeMn膜の交換結合における熱処理の効果
- 基板公転スパッタFe-Al-O軟磁性膜の磁気異方性
- 高B_s-FeAlO軟磁性膜の磁気異方性
- 高Bs Fe-N-Al-O膜の軟磁気特性に及ぼす窒素添加の影響
- 高Bs Fe-N-Al-O膜の軟磁気特性に及ぼす窒素添加の影響
- Soft magnetic properties and microstructure of high moment Fe-N-Al-O films for recording Heads (特集:磁性薄膜,一般)
- 高BsスパッタFe-N-Al-O膜の軟磁気特性
- 高BsスパッタFe-N-Al-O膜の軟磁気特性
- 2308 3次元形状シミュレータによるMRヘッドのイオンミリング、スパッタ成膜プロセスの数値解析(要旨講演,情報機器コンピュータメカニクス2)
- 磁極先端構造による書きにじみの変化
- 媒体磁化を考慮した記録ビットシフトモデル
- オーバーライトシミュレーション
- 高周波NLTSにおけるライトヘッド特性の影響
- オーバーライトおよびNLTSシミュレーション
- オーバーライトおよびNLTSシミュレーション
- 高周波NLTSにおけるライトヘッド特性の影響
- うず電流を考慮したマイクロマグネティックスの手法による磁気ヒステリシスモデリング
- 昇圧回路の高効率化を目的としたインダクタの3次元形状最適化
- 昇圧回路の高効率化を目的としたインダクタの3次元形状最適化
- マイクロマグネティックスによるヒステリシスモデルを取り入れた有限要素法による並列磁場解析シミュレータの開発
- マイクロマグネティックスに基づく磁化フリップモデルによるヒステリシスモデルの構築
- マイクロマグネティックスによるヒステリシスモデルを取り入れた有限要素法による並列磁場解析シミュレータの開発
- マイクロマグネティックスに基づく磁化フリップモデルによるヒステリシスモデルの構築
- マイクロマグネティックスを用いたヒステリシスモデルによる無方向性電磁鋼板のベクトル磁気特性解析
- マイクロマグネティックスを用いたヒステリシスモデルによる無方向性電磁鋼板のベクトル磁気特性解析
- 原子層堆積Al_2O_3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 原子層堆積Al_2O_3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 原子層堆積Al_2O_3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- マイクロマグネティックスの手法によるフェライト材料のヒステリシスモデリング
- 高周波駆動における電磁鋼板の鉄損評価解析
- 高周波駆動における電磁鋼板の鉄損評価解析