吉川 俊英 | 株式会社富士通研究所

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概要

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• 吉川 俊英

  株式会社富士通研究所

• 今田 忠紘

  株式会社富士通研究所

• 金村 雅仁

  (株)富士通研究所

• 岡本 直哉

  富士通

• 吉川 俊英

  富士通

• 多木 俊裕

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• 多木 俊裕

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• 尾崎 史朗

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• 中村 哲一

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• 岡本 直哉

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• 宮島 豊生

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• PIEDRA Daniel

  マサチューセッツ工科大学

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著作論文

• 原子層堆積Al_2O_3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 原子層堆積Al_2O_3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 原子層堆積Al_2O_3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• GaN-HEMTの400Vでの動的挙動とトラップ特性の相関(一般講演,パワーデバイス及び超高周波デバイス/マイクロ波一般)

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