量産性を考慮した強誘電体高密度記録用多結晶薄膜記録媒体(固体メモリ及び一般)
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概要
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強誘電体高密度記録の実用化を目的として,多結晶Pb(Zr,,Ti)O_3(PZT)薄膜記録媒体を量産性の見込めるプロセスにより作製し,その記録媒体に対し実験的に記録密度1Tbit/in^2での高密度記録を行うことに成功した.基板としてSiウェハを,下部電極としてSrRuO_3(SRO)薄膜を用い,その上へ結晶性の良い多結晶PZT薄膜を溶液気化有機金属気相成長法(LD-MOCVD)により成膜した.PZT薄膜の表面を化学機械研磨(CMP)により平滑化しその表面粗さを1nm(RMS)以下とした.このPZT薄膜に対しドメインの反転実験を行った結果,非常に制御性良く微細なドメインの反転が行えることを確認し,この薄膜が超高密度強誘電体記録の量産可能な記録媒体として有望であることを示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-10-01
著者
-
藤本 健二郎
パイオニア株式会社技術開発本部
-
河野 高博
パイオニア株式会社技術開発本部
-
尾上 篤
パイオニア株式会社技術開発本部
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田村 正裕
株式会社天谷製作所
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梅田 優
株式会社ワコム研究所
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都田 昌之
株式会社ワコム研究所
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尾上 篤
パイオニア株式会社総合研究所
-
尾上 篤
パイオニア (株)
-
尾上 篤
パイオニア(株)総合研究所
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