量産性を考慮した強誘電体高密度記録用多結晶薄膜記録媒体(固体メモリ及び一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
強誘電体高密度記録の実用化を目的として,多結晶Pb(Zr,,Ti)O_3(PZT)薄膜記録媒体を量産性の見込めるプロセスにより作製し,その記録媒体に対し実験的に記録密度1Tbit/in^2での高密度記録を行うことに成功した.基板としてSiウェハを,下部電極としてSrRuO_3(SRO)薄膜を用い,その上へ結晶性の良い多結晶PZT薄膜を溶液気化有機金属気相成長法(LD-MOCVD)により成膜した.PZT薄膜の表面を化学機械研磨(CMP)により平滑化しその表面粗さを1nm(RMS)以下とした.このPZT薄膜に対しドメインの反転実験を行った結果,非常に制御性良く微細なドメインの反転が行えることを確認し,この薄膜が超高密度強誘電体記録の量産可能な記録媒体として有望であることを示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-10-01
著者
-
藤本 健二郎
パイオニア株式会社技術開発本部
-
河野 高博
パイオニア株式会社技術開発本部
-
尾上 篤
パイオニア株式会社技術開発本部
-
田村 正裕
株式会社天谷製作所
-
梅田 優
株式会社ワコム研究所
-
都田 昌之
株式会社ワコム研究所
-
尾上 篤
パイオニア株式会社総合研究所
-
尾上 篤
パイオニア (株)
-
尾上 篤
パイオニア(株)総合研究所
関連論文
- 量産性を考慮した強誘電体高密度記録用多結晶薄膜記録媒体(固体メモリおよび一般)
- 量産性を考慮した強誘電体高密度記録用多結晶薄膜記録媒体(固体メモリ及び一般)
- SNDM強誘電体プローブメモリによる超高密度デジタルデータ記録再生
- SNDM強誘電体プローブメモリによる超高密度デジタルデータ記録再生(画像記録装置及び一般)
- A-3 強誘電体ナノドメインの超高速スイッチング特性(基礎)
- 非線形誘電率顕微鏡を用いたTbit/inch^2の記録密度を持つ強誘電体記録(垂直記録および一般)
- 非線形誘電率顕微鏡を用いたTbit/inch^2 の記録密度を持つ強誘電体記録
- フィードフォーワードによるノイズキャンセルを用いた強誘電体からの信号検出(ハードディスクドライブおよび一般)
- フィードフォーワードによるノイズキャンセルを用いた強誘電体からの信号検出(ハードディスクドライブ及び一般)
- 半導体プロセスにおける洗浄技術
- Flash-MOCVD強誘電体薄膜形成装置の基礎と量産化技術(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- 超純水中への金属溶解に対する溶存ガス及びプロトンの効果
- MOCVD法を用いたKNbO_3圧電性薄膜の作製と弾性表面波変換器への応用
- BD/DVD/CD互換機用多波長集積レーザーの開発
- 能動的周波数制御を用いた強誘電体媒体からの信号検出(ハードディスクドライブ及び一般)
- C-7-1 強誘電微小分極反転ドメインの生成とデータストレージシステムの試作
- LSI上に一体集積した3次元マイクロコイル発振器
- LSI上に一体集積した3次元マイクロコイル発振器