シリコン表面の初期酸化と水素
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2000-03-20
著者
-
安田 幸夫
名古屋大学工学部
-
財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
-
安田 幸夫
名古屋大学
-
池田 浩也
名古屋大学
-
財満 鎭明
名古屋大学
関連論文
- エレクトロルミネッセンス撮像法による太陽電池用多結晶シリコン基板の評価(太陽電池材料の結晶工学:結晶成長を中心に)
- MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- アモルファスSiバッファ層を用いたサファイア基板上へのSiヘテロエピタキシャル成長とその特性
- TMIを用いたInPのMOCVD成長 : エピタキシー
- ミスオリエンテーション基板上へのGaP液相成長表面波模様と非発光領域
- GaP液相エピキシャル成長時におけるマクロステップの振舞 : エピタキシー
- Pr(EtCp)_3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
- バイオナノドットを用いた極薄トンネル酸化膜デバイスの電気特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- 原子層堆積法により形成したPrAlOの結晶構造および電気的特性(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- La_2O_3-Al_2O_3複合膜における定電圧ストレス印加時の局所的な電荷捕獲とその放出過程(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 電流検出型原子間力顕微鏡法を用いた極薄ゲート絶縁膜の信頼性評価(ナノテクノロジー時代の故障解析技術と解析ツール)
- 電流検出型原子間力顕微鏡を用いたLa_2O_3-Al_2O_3複合膜の局所リーク電流評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析(電子材料)
- 電流検出型原子間力顕微鏡を用いたゲート絶縁膜の局所リーク電流評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析 : ゲート絶縁膜劣化機構の微視的評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ge_Sn_xバッファ層上への伸張歪Ge層形成と歪・転位構造制御
- シリコン表面の窒化初期過程とエネルギーバンドギャップの形成
- CS-5-2 Si_Ge_X/Si(001)構造における転位および歪の評価と制御技術(CS-5.異種材料融合デバイス技術,シンポジウム)
- Ge基板上へのPr酸化膜の作製と評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 仮想Ge基板上におけるGe_Sn_xバッファ層の歪および転位構造制御
- SOI基板上歪緩和SiGeバッファ層の転位構造とモザイシティ
- 次世代シリコンULSIに向けたIV族系半導体ヘテロ界面のひずみと転位の制御技術と評価
- Si_Ge_xバッファ層の歪緩和および転位構造制御(Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)
- ラジカル窒化過程におけるエネルギーバンドギャップ形成機構のSTM/STS解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 22pXB-10 HRTEM, EELS, EDX を用いた Ni/Si 界面反応への添加元素の影響とナノ構造の研究
- グリーンレーザによる積層シリコンの結晶化--次世代ディスプレイの実現を目指して (特集 レーザ・光学系と大型液晶パネルプロセス)
- NO直接酸化法により作製したC面上4H-SiC MOSデバイスの特性(シリコン関連材料の作製と評価)
- High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ga_2O3-In_2O_3-ZnO(GIZO)薄膜を用いた薄膜トランジスタの劣化(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- フェリチンタンパクを利用したシリコン薄膜のバイオ結晶化法 (オプトロニクス 石油代替・ナノバイオ材料の可能性,「薄く」,「しなやか」な物性が得られる--FPD用部材における「バイオマス資源・タンパク質材料」の応用・採用の技術トレンド)
- 4H-SiC nMOSFETおよびpMOSFETに対するチャージポンピング測定(シリコン関連材料の作製と評価)
- シリコン太陽電池用SiN_xパッシベーション膜におけるNH_3プラズマ界面改質効果(シリコン関連材料の作製と評価)
- パルス急速熱処理によるNi内包フェリチンを用いた結晶成長速度の向上(シリコン関連材料の作製と評価)
- 高圧水蒸気処理によるSiO_2/4H-SiC界面改質とMOSFET特性(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- ナノテクMOVEMENTS(VOL.11)タンパク超分子を用いたシリコン薄膜の低温結晶化
- 走査型プローブ顕微鏡を用いた単一バイオナノドットの電気特性解析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 高圧水蒸気熱処理したSiO_2/4H-SiC界面特性の改善(シリコン関連材料の作製と評価)
- Ni内包フェリチンタンパク質を用いた多結晶シリコンの大粒径化(シリコン関連材料の作製と評価)
- フェリチンタンパク質コアの非晶質Si薄膜中熱処理による還元(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 技術トピック Niナノ粒子を内包したフェリチンのシリコン非晶質薄膜の結晶化
- シリコンナノ界面制御による光電極動作の理論解析 (特集 太陽エネルギー変換の最近動向)
- Material Report R&D バイオを用いたプロセス:バイオナノコアによるアモルファスシリコン膜の結晶化
- シリコンナノクリスタルドットの形成(半導体Si及び関連材料・評価)
- バイオナノコアを活用した金属誘起固相成長による多結晶シリコン薄膜形成(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- バイオナノコアを活用した金属誘起固相成長による多結晶シリコン薄膜形成(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- バイオナノコアを活用した金属誘起固相成長による多結晶シリコン薄膜形成(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 特別記事 SiGe技術の最新研究動向
- IUVSTAだより
- ヘテロエピタキシアル成長層の結晶学的キヤラクタリゼイション : エピタクシー
- 4族半導体ヘテロエピタキシ-機構 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (エピタキシ機構)
- ガスソースMBE法による(100)Si基板上のSi_Ge_x膜の成長初期過程 : 気相成長・薄膜II
- Ge/Siヘテロエピタキシャル成長初期過程
- Ge/Siヘテロエピタキシャル成長初期に形成される秩序構造 : エピタキシーI
- ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- LaAlO/Ge構造へのALD-Al_2O_3界面制御層挿入の効果(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ge表面酸化および窒化処理と High-k ゲートスタック構造形成プロセス
- 超高密度・極微細シリコンナノドットの形成技術とメモリ特性 (特集1 次世代不揮発メモリーの開発・高集積化とその市場)
- シリコンナノテクノロジー(ナノテクノロジー)
- 4H-SiC MOS界面へのリンの導入による界面準位密度の低減(シリコン関連材料の作製と評価)
- 低温多結晶シリコン薄膜トランジスタにおける信頼性評価技術(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- 低温多結晶シリコン薄膜トランジスタにおける信頼性評価技術(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- 低温多結晶シリコン薄膜トランジスタにおける信頼性評価技術(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- 低温Poly-Si TFTにおける発熱劣化の解析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 極薄ゲートSiO_2膜Poly-Si CMOSトランジスタのホットキャリア劣化(シリコン関連材料の作製と評価)
- フェリチンタンパクのSi基板への直接吸着(半導体Si及び関連材料・評価)
- Pr(EtCp)3を用いた原子層成長法によるPr酸化膜の作製とその電気的特性 (小特集 真空を利用した材料プロセスの新展開--化学気相成長から原子層成長へ)
- Side-Wall電極型PECVDによるSiナノドットメモリ(シリコン関連材料の作製と評価)
- 窒素励起活性種を用いたPLD-HfSixOy膜への窒素導入 : Hfの組成と窒素プロファイルの制御(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 31p-N-15 メゾスコピック系の電子輸送現象に及ぼす非弾性散乱の影響
- 31p-N-15 メゾスコピック系の電子輸送現象に及ぼす非弾性散乱の影響
- シリサイドの固相成長
- Ge on Si(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
- サファイア上のシリコン単結晶膜の製法と性質
- サファイア上のシリコン単結晶膜の製法と性質 : 招待講演
- パルスレーザー蒸着法による高誘電率薄膜の作製と電気的特性
- 中エネルギ-イオン散乱法を用いたシリサイド/シリコン界面の構造解析
- 特集号編集にあたって
- ヘテロエピタキシャル成長における歪緩和と貫通転位の低減 : Si(001)基板上の高品質Si_Ge_x歪緩和層の成長(バルク成長分科会特集 : 結晶成長の科学と技術)
- 超微細化に向けたULSI薄膜技術
- 金属/半導体界面反応の STEM による原子直視観察
- 総合報告 シリコンLSI新材料技術の現状と課題--フロントエンドプロセス
- 固相エピタキシー法によるSi(111)表面上のGe3次元島のコースニング過程 : エピタキシャル成長IV
- シリコン表面の初期酸化と水素
- 集束イオンビームを用いたナノチャネルMOSFETの作製とクーロンブロッケード現象
- 集束イオンビームを用いたナノチャネルMOSFETの作製とクーロンブロッケード現象
- 水素終端シリコン表面の酸化と水素の役割
- シリコン酸化膜の局所構造緩和過程の研究
- 水素終端シリコン(100)表面の酸化初期過程
- Si表面上のエピタキシャルシリサイドの熱的挙動
- 水素終端シリコン表面の初期酸化過程と局所構造
- 水素終端シリコン表面の初期酸化過程
- シリサイド化反応とコンタクト特性
- 薄膜技術が開く未来
- 真の科学技術立国を目指して
- Pr(EtCp)_3を用いた原子層成長法によるPr酸化膜の作製とその電気的特性
- Al_2O_3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Pr酸化膜/Ge構造におけるPrの価数制御に基づく界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価