原子層堆積法により形成したPrAlOの結晶構造および電気的特性(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
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概要
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本研究ではSi基板上にPr(EtCp)_3,トリメチルアルミニウム(TMA)およびH_2Oを用いた原子層堆積(ALD)法を用いてPrAlO(PAO)膜を形成し,その電気的特性を明らかにした.X線光電子分光(XPS)法から,膜中に界面反応を引き起こしたSiが表面付近に偏析していることが分かり,Al導入によってそれが減少していることが分かった.このことは,Al導入によって界面反応が抑制されていることを示唆している.一方,Deep level transient spectroscopy (DLTS)の結果,Al導入によって浅い準位において界面準位密度が減少した.従って,浅い準位の界面準位密度は,界面反応に起因していると推測される.Alの導入によって界面反応の制御が可能であることを明らかにした.
- 2010-06-15
著者
-
財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
-
近藤 博基
名古屋大学大学院工学研究科
-
坂下 満男
名古屋大学大学院工学研究科
-
中塚 理
名古屋大学
-
古田 和也
名古屋大学大学院光学研究科
-
竹内 和歌奈
名古屋大学大学院光学研究科
-
坂下 満男
名古屋大学大学院光学研究科
-
近藤 博基
名古屋大学大学院光学研究科
-
中塚 理
名古屋大学大学院光学研究科
-
財満 鎭明
名古屋大学
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