SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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Si系ULSIの性能向上に向けて、高正孔移動度チャネル材料として二軸圧縮ひずみGeが期待されている。我々はSi_<0.5>Ge_<0.5>基板上へのエピタキシャル成長による、高品質ひずみGe層の形成を目指している。顕微ラマン分光法およびX線回折逆格子マッピングによる評価の結果、 Si_<0.5>Ge_<0.5>基板上に形成した膜厚15nmのひずみGe層にひずみ量1.3%の圧縮ひずみを印加できることがわかった。また、ひずみGe層のひずみ緩和率は38%であった。ひずみ緩和の機構を調べるために、Ge/SOIの固相拡散を用いて作製したSi_xGe_<1-x> on Insulator上にもひずみGe層を形成し、60°転位に起因するモザイシティおよび表面ラフネスの評価を行った。また、断面TEM観察の結果より、Si_<0.5>Ge_<0.5>基板上のひずみGe層における表面ラフネスの導入がひずみ緩和につながったことが示唆される。
2012-05-10

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