Traveling Liquidus-Zone (TLZ) 法により成長するバルクInGaAsの単結晶化初期状態の観察
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概要
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- 2009-04-30
著者
-
依田 眞一
(独)宇宙航空研究開発機構
-
木下 恭一
宇宙航空研究開発機構
-
小田原 修
東京工業大学総合理工学研究科材料物理化学専攻
-
木下 恭一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部iss科学プロジェクト室
-
依田 真一
Japan Aerospace Exploration Agency
-
依田 眞一
東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻
-
依田 真一
宇宙開発事業団宇宙環境利用研究センター
-
末益 崇
筑波大学大学院数理物質科学研究科電子・物理工学専攻
-
末益 崇
筑波大学大学院・数理物質科学研究科
-
小田原 修
東京工業大学
-
金子 将士
東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻
-
依田 眞一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)
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