貼り合わせ直接接合SrTiO_3(001)基板の抵抗スイッチング特性評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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新規不揮発性メモリの一つとして、金属/絶縁体/金属構造の抵抗変化型メモリが注目されている。我々はSrTiO_3(001)基板を貼り合わせ直接接合することにより界面にらせん転位網が形成されることを確認し、それを伝導性パスとするAu/SrTiO_3/Au構造における抵抗スイッチング挙動を確認した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-06-14
著者
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酒井 朗
大阪大学大学院基礎工学研究科
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中村 芳明
大阪大学大学院基礎工学研究科
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吉川 純
大阪大学大学院基礎工学研究科
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淺田 遼太
大阪大学大学院基礎工学研究科
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Son Pham
大阪大学大学院基礎工学研究科
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Vasant Kokate
大阪大学基礎工学部
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竹内 正太郎
大阪大学大学院基礎工学研究科
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