市川 昌和 | 東大工

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概要

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関連著者

• 市川 昌和

  東大工

• 市川 昌和

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 中村 芳明

  東大工

• 中村 芳明

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 趙 星彪

  名大エコ研

• 田中 信夫

  名大エコトピア研

• 市川 昌和

  CREST-JST

• 目良 裕

  東大工

• 前田 康二

  東大工

• 目良 裕

  東大院工

• 田中 信夫

  国立大学法人東京工業大学男女共同参画推進センター

• 中村 芳明

  CREST-JST

• 成瀬 延康

  東大工

• 成瀬 延康

  阪大産研

• 成瀬 延康

  大阪大学産業科学研究所

• 山崎 順

  名大エコトピア研

• 田中 信夫

  名古屋大学

• 奥西 栄治

  日本電子(株)

• 藤ノ木 紀仁

  東大工

• 趙 星彪

  CREST-JST

• 田中 信夫

  CREST-JST

• 趙 星彪

  名大エコトピア研

• 市川 昌和

  Jrcat-atp

• 市川 昌和

  アトムテクノロジー研究体

• 柴田 元司

  Rwcp適応デバイス

• 柴田 元司

  Jrcat-atp

• 柴田 元司

  東北大工

• 新田 芳基

  JRCAT-ATP

• 奥西 栄治

  日本電子:jst-crest

• 市川 昌和

  Jrcat

• 奥西 栄治

  日本電子

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 山崎 順

  名大エコ研

• 十倉 好紀

  東大工

• 賀川 史敬

  東大工

• 金澤 直也

  東大工

• 福田 憲二郎

  名大院工

• 塚崎 敦

  東北大金研

• 藤田 研

  Jrcat-atp : (現)沖電気

• 藤田 健

  Jrcat-atp : (現)沖電気工業

• 正田 明子

  東大工

• 趙 星彪

  CIRSE-JST

• 中村 芳明

  CIRSE-JST

• 田中 信夫

  CIRSE-JST

• 市川 昌和

  CIRSE-JST

• 彌田 智一

  東京工業大学資源化学研究所

• 渡邉 亮子

  (独)理化学研究所基幹研究所田中メタマテリアル研究室

• Shklyaev Alexander

  CREST-JST

• 小塚 裕介

  東大新領域:東北大金研

• 彌田 智一

  東工大資源研

• 村山 昭之

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 渡邉 亮子

  東京工業大学資源化学研究所集積分子工学部門

• 塚崎 敦

  東京大学大学院工学系研究科

• 川崎 雅司

  東大工

• 小塚 裕介

  東大工

• 川崎 雅司

  東大工:理研CEMS

• 小塚 裕介

  東大新領域:東大院工

• 横内 智行

  東大工

• 塚崎 敦

  東北大学金属材料研究所低温物理学研究部門

• 彌田 智一

  東京工業大学ERATO彌田プロジェクト

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著作論文

• 21aXB-11 Siキャップ層の発光特性に及ぼすGe_Sn_xナノドットの構造・組成変化の効果(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pPSA-45 極薄Si酸化膜上にエピタシャル成長したFe_3Siナノドットの構造評価(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23aTD-4 Si基板上に形成したGeSn量子ドットの電子状態と発光特性のドットサイズ依存性(表面ナノ構造量子物性,微粒子クラスタ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pXK-7 STM光吸収分光法におけるサブギャップ光吸収信号の起源(結晶成長,表面局所光学現象,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 19aWH-5 Si上のβ-FeSi_2ドットのSTM電場変調ナノ分光測定(表面局所光学現象,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aYH-3 HRTEMおよびHAADF-STEMによるβ-FeSi_2ナノドットの微細構造評価(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aYC-6 STM探針によるサブギャップ光吸収の検出(23aYC 表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-71 極薄Si酸化膜上に成長したFe-Siナノドットの構造評価(II)(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 15aPS-4 極薄 Si 酸化膜上に成長した Fe-Si ナノドットの構造評価(領域 9)
• 24aY-2 ナノメータスケールSi(001)開口部に選択成長したSi結晶のファセット形成
• 24aY-1 極薄酸化膜を用いたSi(001)上のGeの選択成長のSTM観察
• 23pTC-9 極薄Si酸化膜を用いたSi(001)表面上のGeナノドットの微細構造および組成の評価(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22pTD-6 極薄酸化膜のSi開口部におけるGe/Siナノ結晶の成長過程とステップ間相互作用
• 22pTD-6 極薄酸化膜のSi開口部におけるGe/Siナノ結晶の成長過程とステップ間相互作用
• 極薄Si酸化膜を用いたエピタキシャル量子ドット二次元ナノ配列構造の自己組織化と自己修復
• 27pEA-7 B20型MnFe_xSi薄膜におけるスキルミオン形成とトポロジカルホール効果(マルチフェロ1,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))

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