中村 芳明 | 東大工
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概要
関連著者
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中村 芳明
東大工
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目良 裕
東大工
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前田 康二
東大工
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市川 昌和
東大工
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市川 昌和
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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中村 芳明
大阪大学大学院基礎工学研究科
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目良 裕
東大院工
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趙 星彪
名大エコ研
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田中 信夫
名大エコトピア研
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田中 信夫
国立大学法人東京工業大学男女共同参画推進センター
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中村 芳明
CREST-JST
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市川 昌和
CREST-JST
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成瀬 延康
東大工
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成瀬 延康
阪大産研
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成瀬 延康
大阪大学産業科学研究所
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藤ノ木 紀仁
東大工
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趙 星彪
名大エコトピア研
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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長谷川 修司
東大理
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山崎 順
名大エコトピア研
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賀川 史敬
東大工
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前田 康二
東大院工
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中山 泰生
千葉大先進
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田中 信夫
名古屋大学
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福田 憲二郎
名大院工
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中山 泰生
千葉大学先進科学センター
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布施 琢也
東大工
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前田 康二
東京大学工学系研究科
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天清 宗山
東大工
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松田 巌
東大理
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奥西 栄治
日本電子(株)
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萱沼 洋輔
阪府大院工
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水本 義彦
阪府大院工
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趙 星彪
CREST-JST
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田中 信夫
CREST-JST
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正田 明子
東大工
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吉野 学
東大工
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最首 克也
東大工
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趙 星彪
CIRSE-JST
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中村 芳明
CIRSE-JST
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田中 信夫
CIRSE-JST
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市川 昌和
CIRSE-JST
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Konchenko Alexander
JST
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中村 芳明
JST
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中山 泰生
JST
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市川 昌和
JST
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小林 昌弘
東大工
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中村 芳明
東大院工
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外村 修
東大工
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名倉 孝行
東大工
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飛田 聡
東大工
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目黒 多加志
理研
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中村 芳明
東京大学工学系研究科物理工学
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目良 裕
東京大学工学系研究科物理工学
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前田 康二
東京大学大学院工学系研究科
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天清 宗山
東京大学大学院工学系研究科
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中村 芳明
東京大学大学院工学系研究科
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目良 裕
東京大学大学院工学系研究科
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奥西 栄治
日本電子:jst-crest
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市川 昌和
Crest-jst:東大工
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飛田 聡
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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奥西 栄治
日本電子
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目良 裕
東京大学工学系研究科
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河西 宏一
東大工
-
矢島 理子
東大工
著作論文
- 21aXB-11 Siキャップ層の発光特性に及ぼすGe_Sn_xナノドットの構造・組成変化の効果(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-45 極薄Si酸化膜上にエピタシャル成長したFe_3Siナノドットの構造評価(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23aTD-4 Si基板上に形成したGeSn量子ドットの電子状態と発光特性のドットサイズ依存性(表面ナノ構造量子物性,微粒子クラスタ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXK-7 STM光吸収分光法におけるサブギャップ光吸収信号の起源(結晶成長,表面局所光学現象,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19aWH-5 Si上のβ-FeSi_2ドットのSTM電場変調ナノ分光測定(表面局所光学現象,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aYC-3 STM探針からの正孔注入によるフラーレンの重合・解離反応とその機構(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aYH-3 HRTEMおよびHAADF-STEMによるβ-FeSi_2ナノドットの微細構造評価(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aYC-6 STM探針によるサブギャップ光吸収の検出(23aYC 表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-71 極薄Si酸化膜上に成長したFe-Siナノドットの構造評価(II)(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYE-2 酸化Si表面上Geナノドットの量子サイズ効果の直接観測(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19pXF-5 STMプローブ励起C_重合・解離反応におけるクラスタ間距離効果の機構(微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 15aPS-4 極薄 Si 酸化膜上に成長した Fe-Si ナノドットの構造評価(領域 9)
- 21aYD-4 STM 金属探針直下における光電場増強効果の実測
- 28aWD-8 Si(111) 表面における STM からの電子注入と量子拡散
- 19aTG-3 イオン堆積アモルファスカーボン膜のSTM探針によるナノ構造変化
- 19aTG-2 STM探針により誘起されるグラファイト結晶中の照射欠陥の構造変化
- 17aTJ-5 C_クラスタ重合のSTM直接観察
- 30aTA-8 プローブ励起原子移動 : Si(100)表面上のCl原子の場合
- 25pTA-8 プローブ励起によって誘起されるSi表面上Cl原子拡散の広がり効果の解釈
- 25aT-6 STMプローブによる電子引き抜きが誘起するSi(111)-(7×7)表面上のCl原子移動
- 塩素吸着シリコン表面のレーザー励起エッチング
- 25aT-2 STMプローブ励起によるC_クラスター重合
- 24pW-11 Si表面上Cl拡散を誘起するSTM探針注入電流の空間的広がり
- 28p-Q-5 STMプローブにより誘起されるSi表面上のCl原子移動
- 25a-YM-12 STM探針からキャリア注入したC1吸着Si表面のその場観察
- 6pSE-13 STM プローブ励起によって誘起されるC_2量体の解離(フラーレン,領域7)
- 6aSP-9 Si(111)-7×7表面上における光誘起塩素原子拡散のSTM直接観察(表面界面ダイナミクス,領域9)