飛田 聡 | 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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概要
関連著者
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飛田 聡
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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目良 裕
東大工
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前田 康二
東大工
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飛田 聡
東大工
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前田 康二
東京大学工学系研究科
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前田 康二
東京大学大学院工学系研究科
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目良 裕
東京大学大学院工学系研究科
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飛田 聡
東京大学工学部
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目黒 多加志
理研
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神原 正
理研
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青柳 克信
理研
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藤原 毅夫
東大工
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中村 芳明
東大工
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外村 修
東大工
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名倉 孝行
東大工
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藤原 毅夫
東大・工・物工
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藤原 毅夫
東大・大学総合教育研究センタ-:crest-jst
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藤原 毅夫
筑波大物質
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井口 雄介
東大工
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飛田 聡
東工大原子炉研
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Fujiwara Takeo
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
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岩瀬 影宏
原研物理部
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阿部 巧
東大工
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飛田 聡
東京大学博士課程 ; 大学院工学系研究科物理工学専攻
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藤原 毅夫
Univ. Tokyo Tokyo
著作論文
- 19aTG-2 STM探針により誘起されるグラファイト結晶中の照射欠陥の構造変化
- STMを用いた機能材料のナノ分光解析(表示記録用有機材料およびデバイス)
- STMを用いた機能材料のナノ分光解析(表示記録用有機材料及びデバイス)
- STMを用いた機能材料のナノ分光解析(表示記録用有機材料及びデバイス)
- 17pTD-9 多価イオン照射により誘起されるグラファイト結晶の状態変化
- 27aXT-12 GaAs中のAsアンチサイトの電子構造(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 28aYC-4 GaAs結晶中のAsアンチサイト単一欠陥のSTM光吸収分光
- 28aYC-3 GaAsエピタキシャル膜界面欠陥のSTM吸収分光測定
- 24pYP-10 STMによる光変調吸収分光
- STMで調べたEL2センターの双安定挙動
- STMを用いた半導体中の単一点欠陥挙動の原子レベル観測
- 31pYG-12 EL2 センターの新しい配位座標モデル
- STMナノスペクトロスコピー
- 17aTG-7 1個の欠陥がつくるナノスケール歪場の直接測定
- 28aYC-6 Density Matrix法を用いた半導体微結晶中の欠陥構造の計算
- 26pYL-10 超高真空STM-DLTS顕微鏡によるGaAs表面下欠陥の観察
- 7aSK-6 STMナノ観察によって見出されたGaAs結晶中Xeイオントラックの微細構造(格子欠陥・ナノ構造,領域10)
- 7aSK-7 GaAs中EL2センター双安定特性の歪印加による制御(格子欠陥・ナノ構造,領域10)
- 7aSK-5 SiGe/Siヘテロ界面の光照射STM測定(格子欠陥・ナノ構造,領域10)