STMを用いた半導体中の単一点欠陥挙動の原子レベル観測
スポンサーリンク
概要
著者
-
目良 裕
東大工
-
前田 康二
東京大学大学院工学系研究科
-
目良 裕
東京大学大学院工学系研究科
-
飛田 聡
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
-
飛田 聡
東京大学博士課程 ; 大学院工学系研究科物理工学専攻
関連論文
- 21aHT-1 共鳴内殻励起軟X線照射による単層カーボンナノチューブへの欠陥導入の機構について(21aHT 格子欠陥・ナノ構造(炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23aTA-8 軟X線照射による^Cカーボンナノチューブからの原子脱離(23aTA 領域7,領域10合同 ナノチューブ・グラファイトにおける欠陥,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aTA-7 単層カーボンナノチューブの電子刺激誘起欠陥 : 水素熱脱離測定による高感度検出(23aTA 領域7,領域10合同 ナノチューブ・グラファイトにおける欠陥,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pYC-11 4面体結合性アモルファスカーボンの電子線誘起結晶化
- 28p-ZA-6 h-GaN結晶における電子励起転位すべり効果
- 22aTD-3 共鳴的内殻励起光照射による単層カーボンナノチューブの構造変化(格子欠陥・ナノ構造(炭素・ナノ構造),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 19aRJ-1 カーボンナノチューブ分散溶液のラマンクエンチ効果とその機構(ナノチューブ・光物性,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pXK-7 STM光吸収分光法におけるサブギャップ光吸収信号の起源(結晶成長,表面局所光学現象,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19aWH-5 Si上のβ-FeSi_2ドットのSTM電場変調ナノ分光測定(表面局所光学現象,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aYC-3 STM探針からの正孔注入によるフラーレンの重合・解離反応とその機構(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aYC-6 STM探針によるサブギャップ光吸収の検出(23aYC 表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19pXF-5 STMプローブ励起C_重合・解離反応におけるクラスタ間距離効果の機構(微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aYD-4 STM 金属探針直下における光電場増強効果の実測
- 28aWD-8 Si(111) 表面における STM からの電子注入と量子拡散
- 19aTG-3 イオン堆積アモルファスカーボン膜のSTM探針によるナノ構造変化
- 19aTG-2 STM探針により誘起されるグラファイト結晶中の照射欠陥の構造変化
- 30aTA-8 プローブ励起原子移動 : Si(100)表面上のCl原子の場合
- 25pTA-8 プローブ励起によって誘起されるSi表面上Cl原子拡散の広がり効果の解釈
- 25aT-6 STMプローブによる電子引き抜きが誘起するSi(111)-(7×7)表面上のCl原子移動
- 29pRB-13 走査型トンネル顕微鏡探針によるカーボンナノチューブへの欠陥導入(29pRB 領域10,領域9合同(金属・陽電子・水素・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23aTA-5 カーボンナノチューブのレーザー光に対する力学的応答(23aTA 領域7,領域10合同 ナノチューブ・グラファイトにおける欠陥,領域7(分子性固体・有機導体))
- 19pWH-3 Electronic-Excitation-induced Structural Conversion in Carbon Materials(Atom Dynamics and Formation of Nano-objects by Electronic Excitations)
- 18pXB-10 軟X線照射によるカーボンナノチューブからの原子脱離(格子欠陥・ナノ構造(電子状態・金属・炭素系物質),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 23pYH-7 共鳴内殻励起による四面体結合性アモルファスカーボン膜の構造変化とその機構(23pYH 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 可視光領域のアンテナ効果
- 30aPS-44 STM変調分光法における異常スペクトル(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aUB-5 電子励起によるカーボンナノ構造形成(30aUB 領域10シンポジウム:カーボン物質の機能性ナノ構造形成,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27aXJ-12 軟X線による四面体結合アモファス炭素膜の構造変化(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 領域10「カーボンナノチューブの欠陥と物性」(2005年秋季大会シンポジウムの報告)
- 21pYM-7 電子線誘起拡散におけるTEM画像ゆらぎの解析(格子欠陥・ナノ構造(半導体・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 30a-F-1 2段階CRIC(定速圧子圧入破壊)法による脆性・延性遷移の研究
- ナノ構造技術
- 28pTA-5 紫外光照射によるCl-Siエッチング現象の原子過程
- 25pY-5 塩素吸着シリコン光誘起エッチングにおける表面温度上昇の評価
- 塩素吸着シリコン表面のレーザー励起エッチング
- 31a-S-5 バンド間励起に起因したCl/Si表面光誘起エッチングの非線形強度依存性
- 27a-PS-45 塩素吸着シリコン表面における光誘起エッチングの励起光偏光依存性
- 30a-YE-10 Cl/Si表面光誘起エッチング : 励起光強度依存
- 8p-H-9 塩基吸着シリコン光誘起エッチングの励起光波長依存性
- STMを用いた機能材料のナノ分光解析(表示記録用有機材料およびデバイス)
- STMを用いた機能材料のナノ分光解析(表示記録用有機材料及びデバイス)
- STMを用いた機能材料のナノ分光解析(表示記録用有機材料及びデバイス)
- 17pTD-9 多価イオン照射により誘起されるグラファイト結晶の状態変化
- 15aTJ-5 STM 金属探針下の光電場増強効果 : 物質依存性(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- 27a-ZN-12 STMトンネル電流における1/f雑音強度の試料面内分布の起源
- 28p-K-2 STMにおけるトンネル電流の低周波ゆらぎ
- 27aXT-12 GaAs中のAsアンチサイトの電子構造(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 24aWY-9 プローブ励起によって単層カーボンナノチューブに誘起された欠陥の遠隔形成(24aWY 格子欠陥・ナノ構造(炭素系物質),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 29p-BPS-37 Si(111)2x1劈開面のFI-STM観察
- 28p-K-1 FI-STMによるSi中の転位の原子像観察
- 26a-T-6 非常に乱れた物質における1/f雑音
- 30a-F-5 キング運動に及ぼす電子線照射効果
- STMトンネル電流注入で促進された表面原子反応
- 28aYC-4 GaAs結晶中のAsアンチサイト単一欠陥のSTM光吸収分光
- 28aYC-3 GaAsエピタキシャル膜界面欠陥のSTM吸収分光測定
- 24pYP-10 STMによる光変調吸収分光
- STMで調べたEL2センターの双安定挙動
- STMを用いた半導体中の単一点欠陥挙動の原子レベル観測
- 31pYG-12 EL2 センターの新しい配位座標モデル
- STMナノスペクトロスコピー
- 17aTG-7 1個の欠陥がつくるナノスケール歪場の直接測定
- 28aYC-6 Density Matrix法を用いた半導体微結晶中の欠陥構造の計算
- 26pYL-10 超高真空STM-DLTS顕微鏡によるGaAs表面下欠陥の観察
- 25aT-2 STMプローブ励起によるC_クラスター重合
- 24pW-11 Si表面上Cl拡散を誘起するSTM探針注入電流の空間的広がり
- 28p-Q-5 STMプローブにより誘起されるSi表面上のCl原子移動
- 25a-YM-12 STM探針からキャリア注入したC1吸着Si表面のその場観察
- 27p-N-1 走査トンネル顕微鏡による半導体中のバルク欠陥の観察
- 27pTJ-7 STMプローブ励起による単層カーボンナノチューブ中の欠陥生成(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(炭素・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 4p-YG-4 照射欠陥によるショットキー接合雑音の発生機構
- 23aGQ-1 プローブ励起による単層カーボンナノチューブ(23aGQ 格子欠陥・ナノ構造(炭素ナノ材料・ダイナミクス),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 31p-M-10 STMトンネル電流におけるl/f雑音強度の温度依存性
- 電子励起を用いた原子分子操作
- 光STMおよびSTMフーリエ変換ナノスペクトロスコピー
- 電子励起を用いた原子分子操作
- 電子励起によって誘起される単層カーボンナノチューブの欠陥生成
- [R-300] 電子刺激脱離における入射ビーム回折効果
- 29a-RC-8 半導体中の転位と電気伝導-マイクロコンタクト法による測定
- 30a-LG-10 塑性変形したCdS単結晶の電気伝導(格子欠陥)
- 7aSK-6 STMナノ観察によって見出されたGaAs結晶中Xeイオントラックの微細構造(格子欠陥・ナノ構造,領域10)
- 7aSK-7 GaAs中EL2センター双安定特性の歪印加による制御(格子欠陥・ナノ構造,領域10)
- 6pSE-13 STM プローブ励起によって誘起されるC_2量体の解離(フラーレン,領域7)
- 6aSP-9 Si(111)-7×7表面上における光誘起塩素原子拡散のSTM直接観察(表面界面ダイナミクス,領域9)
- 2p-M2-5 変形したGaAsの欠陥準位(格子欠陥)
- 25pWE-6 フォトクウェンチ効果を示さないEL2センター・STMによる物理的起源の解明(25pWE 領域,領域10合同アモルファス,不純物・格子欠陥,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 28p-W-5 準結晶の原子構造の幾何学的特徴(28p W 金属)
- 31p-T-2 GaAs中の転位準位のDLTS測定における荷電効果(31pT 格子欠陥)
- 7aSK-5 SiGe/Siヘテロ界面の光照射STM測定(格子欠陥・ナノ構造,領域10)