目黒 多加志 | 理研
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概要
関連著者
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目黒 多加志
理研
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目黒 多加志
理化学研究所
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青柳 克信
理化学研究所
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岩井 荘八
理化学研究所
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青柳 克信
理研
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岩井 荘八
理研
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前田 康二
東大工
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石井 真史
物質・材料研究機構
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飛田 聡
東大工
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石井 真史
Spring-8高輝度光科学研究センター
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石井 真史
高輝度光科学研究センター:理化学研究所播磨研究所
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飛田 聡
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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目良 裕
東大工
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青柳 克信
理研フロンティア
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平田 彰
早稲田大学理工学部
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平田 彰
早稲田大学理工学部 応用化学科
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中村 芳明
東大工
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外村 修
東大工
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名倉 孝行
東大工
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蒲生 健次
大阪大学基礎工学部
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石井 真史
大阪大学基礎工学部
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野々山 信二
理研フロンティア
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石井 真史
Faculty of Engineering Science, Osaka University
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鈴木 威
早稲田大学理工学部 応用化学科
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野々山 信二
理研
著作論文
- 19aTG-2 STM探針により誘起されるグラファイト結晶中の照射欠陥の構造変化
- 17pTD-9 多価イオン照射により誘起されるグラファイト結晶の状態変化
- 30p-S-6 光誘起デジタルエッチングとその表面過程
- 波長可変レーザーと塩素を用いたGaAsの原子層エッチング
- GaAsデジタルエッチングの表面過程
- レーザー原子層エピタキシー
- 活性水素援用CVD方式によるGaAsの原子層エピタキシ-
- III-V族化合物半導体材料の表面精密加工技術 : 原始層エピタキシー
- 原子層制御エピタキシャル成長技術
- GaAs,AlGaAs,AlAsのレ-ザ-単原子層結晶成長と表面過程〔英文〕 (電子材料の課題と展望)
- 光を用いた半導体材料の結晶成長 (光による薄膜電子材料の製造と光エネルギ-の変換材料)
- レ-ザ-単原子層制御結晶成長の機構と応用
- イオンビームを用いた新材料開発 : 新機能発現を目指して
- 活性水素援用CVD法によるGaAsの原子層エピタキシ-
- GaAsのレ-ザ-誘起原子層エピタキシィ
- GaAsのレーザー誘起原子層エピタキシィにおけるサーマルパルス同時照射効果
- 8pSP-7 多価イオン励起による表面ナノ構造創製(主題:電子励起による表面ナノテクノロジーの展開,領域9シンポジウム,領域9)
- 29p-Q-7 レート方程式によるGaAs,AlAs結晶成長の解析(29pQ 結晶成長)