GaAsデジタルエッチングの表面過程
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 19aTG-2 STM探針により誘起されるグラファイト結晶中の照射欠陥の構造変化
- 17pTD-9 多価イオン照射により誘起されるグラファイト結晶の状態変化
- 30p-S-6 光誘起デジタルエッチングとその表面過程
- 波長可変レーザーと塩素を用いたGaAsの原子層エッチング
- 自己組織化によってSi (110) 基板上に作製したErSi_2ナノワイヤーの構造解析
- GaAsデジタルエッチングの表面過程
- レーザー原子層エピタキシー
- 活性水素援用CVD方式によるGaAsの原子層エピタキシ-
- III-V族化合物半導体材料の表面精密加工技術 : 原始層エピタキシー
- 原子層制御エピタキシャル成長技術
- GaAs,AlGaAs,AlAsのレ-ザ-単原子層結晶成長と表面過程〔英文〕 (電子材料の課題と展望)
- 原子層エッチング (原子層制御から原子制御へ)
- レ-ザ-を用いた単原子層制御結晶成長 (レ-ザ-表面技術の新しい展開)
- 光を用いた半導体材料の結晶成長 (光による薄膜電子材料の製造と光エネルギ-の変換材料)
- レ-ザ-単原子層制御結晶成長の機構と応用
- イオンビームを用いた新材料開発 : 新機能発現を目指して
- 活性水素援用CVD法によるGaAsの原子層エピタキシ-
- GaAsのレ-ザ-誘起原子層エピタキシィ
- GaAsのレーザー誘起原子層エピタキシィにおけるサーマルパルス同時照射効果
- レ-ザ-を用いた単原子層制御結晶成長 (レ-ザ-表面技術の新しい展開)
- 原子層エッチング (原子層制御から原子制御へ)
- 8pSP-7 多価イオン励起による表面ナノ構造創製(主題:電子励起による表面ナノテクノロジーの展開,領域9シンポジウム,領域9)
- 29p-Q-7 レート方程式によるGaAs,AlAs結晶成長の解析(29pQ 結晶成長)