24aWE-4 GaInNAs/GaAs量子井戸構造の発光特性に対する局在効果(24aWE 領域4,領域5合同 超格子,輸送・サイクロトロン共鳴,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 2002-03-01
著者
-
高岸 成典
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
中山 正昭
大阪市大院工
-
高岸 成典
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
中山 正昭
大阪市大院
-
徳岡 研吾
大阪市大院工
-
山田 隆史
住友電エオプトエレクトロニクス研
-
本昭 浩
Innovation Core SEI
-
高岸 成典
住友電エオプトエレクトロニクス研
関連論文
- OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- GaInNAs半導体光増幅器をモノリシック集積した半導体光符号化デバイス(フォトニックネットワーク用デバイス技術,及びその応用,一般)
- 26aPS-44 GaAs/AlAs多重量子井戸における励起子-励起子散乱発光II(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 18pTA-9 GaAs/AlAs多重量子井戸における励起子-励起子散乱発光(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 30aPS-20 InGaN薄膜における強励起条件での発光特性(領域5ポスターセッション)(領域5)
- 25aC-9 GaInNAs/GaAsタイプ-II量子井戸構造における発光特性
- 30p-ZE-15 GaInNAs/GaAs量子井戸の光学特性(II)
- 27a-YN-13 GaInNAs/GaAs量子井戸の光学特性
- 19aYC-6 GaAsN/GaAs単一量子井戸構造の光学特性と正孔サブバンド構造(量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aZC-4 GaInNAs/GaAs単一量子井戸構造の光学特性に対するSbの界面添加効果(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 14pYC-5 GaInNAs/GaAs 単一量子井戸構造の光学特性に対する窒素混晶化効果(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
- 20pTH-13 GaInNAs/GaAs 量子井戸構造の発光ダイナミクスに対する局在効果
- 29pYH-2 GaAs/AlAs 多重量子井戸構造でのΓ-X カスケード輸送によるサブバンド間遷移エレクトロルミネッセンス
- 24pXL-3 励起子量子ビートによるコヒーレント光学フォノンの制御 : THz電磁波増強の可能性(24pXL 領域4,領域5合同シンポジウム:半導体量子構造が開くテラヘルツテクノロジー,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 14pXC-10 InGaN 薄膜における励起子 : 励起子散乱による誘導放出(励起子・ポラリトン, 領域 5)
- 21aTR-12 CsI:Na結晶における2光子励起条件でのNa発光センターへのエネルギー移動過程(微粒子・ナノ結晶,その他,領域5,光物性)
- 31pZH-2 CsI-CuI 化合物の発光特性
- 27pRE-6 CsI-CuI化合物における局在励起子発光の熱的消光(27pRE 励起子・ポラリトン・高密度励起現象・局在中心・新物質,領域5(光物性))
- 6pSA-1 GaAs/AlAs多重量子井戸構造におけるサブバンド間遷移エレクトロルミネッセンス(量子井戸・超格子,領域4,領域5合同,領域4)
- 6pSA-2 GaA5/AlAs多重量子井戸構造の高次サブバンドに対する量子閉じ込めシュタルク効果(量子井戸・超格子,領域4,領域5合同,領域4)
- 26pPSA-29 CsI/CuI多層膜の発光特性とシンチレーション機能(26pPSA,領域5(光物性分野))
- 24aWE-4 GaInNAs/GaAs量子井戸構造の発光特性に対する局在効果(24aWE 領域4,領域5合同 超格子,輸送・サイクロトロン共鳴,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))