25aC-9 GaInNAs/GaAsタイプ-II量子井戸構造における発光特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1999-09-03
著者
-
中山 正昭
大阪市大工
-
高岸 茂典
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
西村 仁
大阪市大工
-
西村 仁
関西外語大
-
高岸 成典
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
高橋 光男
住友電工知財テクノセ
-
柄谷 公一
大阪市大工
-
田中 聡
住友電工 基盤研
-
高橋 光男
石田特別研
-
本 昭浩
住友電工 基盤研
-
田辺 達也
住友電工 基盤研
-
高岸 成典
石田特別研
-
高岸 成典
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
田辺 達也
住友電気工業 伊丹研
-
田中 聡
住友電気工業 伊丹研
-
本 昭浩
住友電工(株)オプトエレクトロニクス研
-
高岸 成典
住友電エオプトエレクトロニクス研
-
西村 仁
関西外国語大学
関連論文
- 23aPS-39 GaAsベース希薄窒化物半導体エピタキシャル層におけるテラヘルツ電磁波の極性反転(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
- 3a-X-10 (n11)面方位InGaAs/GaAs歪量子井戸の光学遷移に対する圧電効果
- OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 29a-Z-1 GaAs/AlGaAs超格子のミニバンド状態におけるフランツ-ケルディッシュ振動
- 31a-YL-6 GaAs/AlGaAs 超格子のポテンシャル障壁上電子状態に対する電場効果II
- 5a-F-13 GaAs/AlAs超格子のシュタルク階段遷移振動子強度の電場依存性
- 5a-F-11 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ-II : 遷移強度IV
- 28p-K-12 GaAs/AlGaAs超格子のポテンシャル障壁上電子状態に対する電場効果
- 28p-K-11 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ : II遷移強度III
- 13a-DE-3 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ-II遷移強度(II)
- 1a-N-14 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ-II遷移強度
- 2a-D-17 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ-II発光のフォノンサイドバンド
- 2p-YG-6 Two-Color Pump-Probe法による半導体超格子中のコヒーレント折り返し音響フォノン
- 5a-A2-16 GaAs/AlAsヘテロ構造の界面フォノン・ポラリトンによるラマン散乱
- GaInNAs半導体光増幅器をモノリシック集積した半導体光符号化デバイス(フォトニックネットワーク用デバイス技術,及びその応用,一般)
- 27pXB-12 アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル層構造における高強度テラヘルツ電磁波発生(超高速現象,領域5,光物性)
- 25pPSB-30 アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル構造からのテラヘルツ電磁波の時間分割Fourier変換解析(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
- 25pD-11 GaAs/AlAs超格子の発光特性におけるサブバンド間散乱効果
- 29p-ZE-9 GaAs/AlAs二重量子井戸超格子におけるサブバンド間共鳴
- 27p-YN-14 GaAs/AlAsタイプ-I超格子において電場により誘起されるΓ-X交差
- 2p-YH-6 GaAs/AlGaAs超格子のポテンシャル障壁上ミニバンド状態におけるフランツ・ケルディッシュ振動
- 極薄膜障壁層を有するGaAs/AlAs超格子のミニバンド構造(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
- 半導体超格子の多重ミニバンド構造に対する電場効果(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
- 5p-E-14 GaAs/InAlAsタイプ : I超格子におけるタイプ : II発光の出現
- 5p-E-12 GaAs/AlAs タイプ : II超格子におけるX電子共鳴
- 31a-R-7 GaAs/AlAs Type-II超格子における発光特性の電場依存性
- 極薄膜障壁層を有するGaAs/AlAs超格子のミニバンド構造
- 1p-S-1 KI:Tl^+における励起子吸収帯刺激による発光
- 2a-D-16 周期にゆらぎのあるGaAs/AlAs超格子のラマンスペクトル II
- 30p-Z-1 GaAs-AlAs超格子のラマンスペクトルに対する光侵入長の影響
- 3a-C-5 周期にゆらぎのあるGaAs-AlAs超格子のラマンスペクトル
- 25aC-9 GaInNAs/GaAsタイプ-II量子井戸構造における発光特性
- 30p-ZE-15 GaInNAs/GaAs量子井戸の光学特性(II)
- 27a-YN-13 GaInNAs/GaAs量子井戸の光学特性
- 5p-E-13 In_Ga_As/GaAs歪量子井戸におけるタイプ : II軽い正孔励起子
- 31a-R-6 (lln)面方位InGaAs/GaAs歪量子井戸における光変調反射特性
- 真空蒸着法により結晶成長したCuCl-CuBr混晶薄膜の励起子スペクトル
- 共鳴下におけるGaAs-AlAsフィボナッチ超格子のコヒーレント振動
- ポンプ・プローブ法によるGaAs-AlAsフィボナッチ超格子中のコヒーレント音響フォノンの測定
- 17aRF-5 CsI:X(X=Li,Na,K,Rb)薄膜のシンチレーション特性
- 23pXD-2 CsI:Na シンチレータにおけるNa発光機構
- 23pN-11 真空蒸着CuI-CuBr混晶薄膜の励起子エネルギー
- 23aN-18 GaSb/AlSb超格子におけるコヒーレントLOフォノンの研究
- 22aM-20 CuI薄膜における励起子-励起子散乱による発光II
- 24aL-12 GaAs/AlAsタイプ-II超格子の光電流-電圧特性と発光特性に対するサブバンド共鳴効果
- 24aL-9 GaAs/AlAsタイプ-I超格子における強励起条件での発光特性
- 30p-ZH-13 CsI薄膜シンチレータの光学特性
- 30p-ZH-12 真空蒸着CuI薄膜結晶における重い正孔励起子と軽い正孔励起子の発光特性
- 真空蒸着法により作成したCsI-RbI混晶の結晶性と光学特性
- 30pYH-4 GaAs/AlGaAs 量子井戸構造の励起子発光ダイナミクスに対する界面効果
- 28p-YP-7 エピタキシー効果によるCuI薄膜の結晶構造転移
- 31a-YG-8 真空蒸着CuI薄膜の結晶構造と光学特性
- 29a-J-13 CsI結晶(室温)における4.0eV発光の起源
- 15a-DD-10 CsI結晶における自己束縛励起子発光の静水圧効果
- 19aYC-6 GaAsN/GaAs単一量子井戸構造の光学特性と正孔サブバンド構造(量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aZC-4 GaInNAs/GaAs単一量子井戸構造の光学特性に対するSbの界面添加効果(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 14pYC-5 GaInNAs/GaAs 単一量子井戸構造の光学特性に対する窒素混晶化効果(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
- 20pTH-13 GaInNAs/GaAs 量子井戸構造の発光ダイナミクスに対する局在効果
- 25pXD-5 (n11)面方位GaAs/InAlAs超格子におけるコヒーレントフォノン
- 19aYJ-3 GaAS/AlAsタイプ-II超格子のシュタルク階段発光に対する界面効果
- 28pTB-3 GaAs/AlAs超格子におけるミニバンド端からの発光
- 2a-YH-11 GaAs/AlAs、GaAs/AlGaAs超格子におけるL点近傍の量子状態
- 5p-E-16 GaAs/Al_xGaAs超格子のE_0、E_1およびE_2遷移エネルギー領域での光変調反射特性
- 31a-R-5 GaAs/AlAs超格子におけるL点近傍の量子状態
- 13a-DE-4 GaAs-AlAs超格子におけるコヒーレントフォノン
- 25pSB-3 GaAs/AlAs超格子におけるシュタルク階段状態発光
- 4p-TC-21 アントラセン結晶における自己束縛励起子
- アルカリハライド結晶内不純物の蛍光のdecay time(イオン結晶)
- 28a-YB-7 フェムト秒精密ポンプ・プローブ分光によるGaAs/AlAs超格子中のコヒーレントフォノンの測定 IV
- 30p-W-14 フェムト秒精密ポンプ・プローブ分光によるGaAs-AlAs超格子中のコヒーレントフォノンの測定
- 13p-N-6 KI:Tl^+のTl間のエネルギー共鳴伝達
- 30a-Z-10 半導体超格子のフォトリフレクタンススペクトルの形状
- 3p-C-10 GaAs/AlAs短周期超格子のタイプII発光エネルギーの温度依存性
- 28p-K-4 GaAs/AlAs超格子における励起子反射スペクトルの微細構造
- 3p-D3-7 ビレン結晶の共鳴励起下での自由励起子発光
- 30p-N-6 アルカリ沃化物における自由励起子発光
- 31-p-N-7 アントラセン微粒子の育成と発光
- 28a-YB-6 フェムト秒光パルス列を用いたコヒーレントフォノンの研究
- 29a-Z-2 GaAs/AlAsタイプ-II超格子における準直接遷移型励起子の高密度励起状態
- 31a-YL-9 GaAs/AlAsタイプ-II超格子における励起子分子形成
- 5a-F-10 GaAs/AlAsタイプ-II : 超格子における光変調反射特性
- 2a-YH-10 GaAs/AlAsタイプ-II超格子の高密度励起状態における発光特性
- 1p-S-2 RbIの励起子の拡散
- 28p-C-10 GaAs/AlAs超格子におけるLAフォノン折返しモードによるラマン散乱強度比の入射エネルギー依存性
- 2p-YK-10 KBr:Iのシンチレータとしての光学特性
- GaAs/AlAsタイプ-II超格子における励起子分子形成(III)
- 3a-X-8 GaAs/AlAsタイプ-II超格子における励起子分子形成(II)
- 28a-YN-11 CsIにおいて高圧下で観測される4.7eV発光帯の特性
- 29a-J-11 一軸性応力下における RbI 自己束縛励起子発光の偏光特性
- 31a GB-1 NaIにおけるn=1自由励起子からの発光
- 9a-A-11 RbI:Tlの励起子吸収帯刺激による螢光
- 15a-DD-9 RbI薄膜結晶の光学特性
- 14p-S-5 テトラセンの発光スペクトルと励起子の格子緩和
- 3a-P-10 KI:Tl,RbI:Tlの励起子吸収帯刺激による螢光
- 21pRB-6 GaSb/GaAsエピタキシャル構造における遮光されたGaAs緩衝層のコヒーレント縦光学フォノンからのテラヘルツ電磁波発生(21pRB 超高速現象,領域5(光物性))
- 28a-YE-7 CuCl/CuBr多層薄膜の結晶成長と吸収・発光特性
- 26pBL-6 i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造における縦光学フォノン・プラズモン結合モードによるテラヘルツ電磁波(26pBL 超高速現象,領域5(光物性))
- 19aHB-7 GaSb/GaAsエピタキシャル構造におけるコヒーレント縦光学フォノン緩和過程のテラヘルツ分光(19aHB 超高速現象,領域5(光物性))
- 28a-J-1 LiBr結晶の緩和励起子発光(28aJ イオン結晶・光物性(局在中心,緩和励起子))