9a-A-11 RbI:Tlの励起子吸収帯刺激による螢光
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1971-04-06
著者
関連論文
- 3a-X-10 (n11)面方位InGaAs/GaAs歪量子井戸の光学遷移に対する圧電効果
- 29a-Z-1 GaAs/AlGaAs超格子のミニバンド状態におけるフランツ-ケルディッシュ振動
- 31a-YL-6 GaAs/AlGaAs 超格子のポテンシャル障壁上電子状態に対する電場効果II
- 5a-F-13 GaAs/AlAs超格子のシュタルク階段遷移振動子強度の電場依存性
- 5a-F-11 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ-II : 遷移強度IV
- 28p-K-12 GaAs/AlGaAs超格子のポテンシャル障壁上電子状態に対する電場効果
- 28p-K-11 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ : II遷移強度III
- 13a-DE-3 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ-II遷移強度(II)
- 1a-N-14 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ-II遷移強度
- 2a-D-17 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ-II発光のフォノンサイドバンド
- 25pD-11 GaAs/AlAs超格子の発光特性におけるサブバンド間散乱効果
- 29p-ZE-9 GaAs/AlAs二重量子井戸超格子におけるサブバンド間共鳴
- 27p-YN-14 GaAs/AlAsタイプ-I超格子において電場により誘起されるΓ-X交差
- 2p-YH-6 GaAs/AlGaAs超格子のポテンシャル障壁上ミニバンド状態におけるフランツ・ケルディッシュ振動
- 極薄膜障壁層を有するGaAs/AlAs超格子のミニバンド構造(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
- 半導体超格子の多重ミニバンド構造に対する電場効果(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
- 5p-E-14 GaAs/InAlAsタイプ : I超格子におけるタイプ : II発光の出現
- 5p-E-12 GaAs/AlAs タイプ : II超格子におけるX電子共鳴
- 31a-R-7 GaAs/AlAs Type-II超格子における発光特性の電場依存性
- 極薄膜障壁層を有するGaAs/AlAs超格子のミニバンド構造
- 1p-S-1 KI:Tl^+における励起子吸収帯刺激による発光
- 25aC-9 GaInNAs/GaAsタイプ-II量子井戸構造における発光特性
- 30p-ZE-15 GaInNAs/GaAs量子井戸の光学特性(II)
- 27a-YN-13 GaInNAs/GaAs量子井戸の光学特性
- 5p-E-13 In_Ga_As/GaAs歪量子井戸におけるタイプ : II軽い正孔励起子
- 31a-R-6 (lln)面方位InGaAs/GaAs歪量子井戸における光変調反射特性
- 真空蒸着法により結晶成長したCuCl-CuBr混晶薄膜の励起子スペクトル
- 23pXD-2 CsI:Na シンチレータにおけるNa発光機構
- 23pN-11 真空蒸着CuI-CuBr混晶薄膜の励起子エネルギー
- 23aN-18 GaSb/AlSb超格子におけるコヒーレントLOフォノンの研究
- 22aM-20 CuI薄膜における励起子-励起子散乱による発光II
- 24aL-12 GaAs/AlAsタイプ-II超格子の光電流-電圧特性と発光特性に対するサブバンド共鳴効果
- 24aL-9 GaAs/AlAsタイプ-I超格子における強励起条件での発光特性
- 30p-ZH-13 CsI薄膜シンチレータの光学特性
- 30p-ZH-12 真空蒸着CuI薄膜結晶における重い正孔励起子と軽い正孔励起子の発光特性
- 真空蒸着法により作成したCsI-RbI混晶の結晶性と光学特性
- 3a-TB-10 KF中のF中心の蛍光の発光機構
- NaF : Fの発光の消光 : イオン結晶
- KBr : F及びRbcl : Fの蛍光の発光機構 : イオン結晶
- 13a-N-7 KCl:F,FAの蛍光
- KCl:NaのF_Aの光照射による再配向 : イオン結晶・光物性 : 色中心・不純物中心
- 閃光照射による色中心の変換 : 光物性・イオン結晶
- KCl:Na結晶中のF'中心のlife time : イオン結晶・光物性
- 閃光照射による色中心変換の研究 : イオン結晶光物性 : 光学的性質II
- 9a-L-4 反応過程に於けるKCl;F'中心の分光吸收
- 28p-YP-7 エピタキシー効果によるCuI薄膜の結晶構造転移
- 31a-YG-8 真空蒸着CuI薄膜の結晶構造と光学特性
- 29a-J-13 CsI結晶(室温)における4.0eV発光の起源
- 15a-DD-10 CsI結晶における自己束縛励起子発光の静水圧効果
- 2a-YH-11 GaAs/AlAs、GaAs/AlGaAs超格子におけるL点近傍の量子状態
- 5p-E-16 GaAs/Al_xGaAs超格子のE_0、E_1およびE_2遷移エネルギー領域での光変調反射特性
- 31a-R-5 GaAs/AlAs超格子におけるL点近傍の量子状態
- 13a-N-8 KBr:F^'の熱イオン化過程
- KCl:NaのF'_Aの熱励起の過程 : イオン結晶・光物性 : 色中心・不純物中心
- 4p-TC-21 アントラセン結晶における自己束縛励起子
- アルカリハライド結晶内不純物の蛍光のdecay time(イオン結晶)
- 13p-N-6 KI:Tl^+のTl間のエネルギー共鳴伝達
- 30a-Z-10 半導体超格子のフォトリフレクタンススペクトルの形状
- 3p-C-10 GaAs/AlAs短周期超格子のタイプII発光エネルギーの温度依存性
- 28p-K-4 GaAs/AlAs超格子における励起子反射スペクトルの微細構造
- 3p-D3-7 ビレン結晶の共鳴励起下での自由励起子発光
- 8p-C-3 ピレン結晶におけるExcimerの拡散
- 3a-K-3 ピレン結晶内のエネルギー伝達
- 3a-K-2 アントラセン結晶の一重項励起子の拡散
- アントラセン一重項励起子の拡散 : 分子結晶・有機半導体
- 1a-L-6 アントラセン結晶の螢光の減衰時間
- 30p-N-6 アルカリ沃化物における自由励起子発光
- 31-p-N-7 アントラセン微粒子の育成と発光
- 29a-Z-2 GaAs/AlAsタイプ-II超格子における準直接遷移型励起子の高密度励起状態
- 31a-YL-9 GaAs/AlAsタイプ-II超格子における励起子分子形成
- 5a-F-10 GaAs/AlAsタイプ-II : 超格子における光変調反射特性
- 2a-YH-10 GaAs/AlAsタイプ-II超格子の高密度励起状態における発光特性
- 1p-S-2 RbIの励起子の拡散
- 2p-YK-10 KBr:Iのシンチレータとしての光学特性
- GaAs/AlAsタイプ-II超格子における励起子分子形成(III)
- 3a-X-8 GaAs/AlAsタイプ-II超格子における励起子分子形成(II)
- 28a-YN-11 CsIにおいて高圧下で観測される4.7eV発光帯の特性
- 29a-J-11 一軸性応力下における RbI 自己束縛励起子発光の偏光特性
- 31a GB-1 NaIにおけるn=1自由励起子からの発光
- 9p-C-4 アントラセン結晶の一重項励起子の拡散
- 9a-A-11 RbI:Tlの励起子吸収帯刺激による螢光
- 9a-L-3 KCl色中心の光化学反応の種について
- 15a-DD-9 RbI薄膜結晶の光学特性
- 14p-S-5 テトラセンの発光スペクトルと励起子の格子緩和
- 3a-P-10 KI:Tl,RbI:Tlの励起子吸収帯刺激による螢光
- X線照射したKI:Tlの螢光 : イオン結晶・光物性
- エネルギー伝達機構 : 光物性・イオン結晶・分子性結晶・有機半導体合同シンポジウム : Exciton
- 5p-L-6 KCl:In^+,KBr:Sn^蛍光の減衰時間と偏り
- 13p-N-7 KCl:Ag^+蛍光の減衰時間
- 4p-TC-20 β-ジクロルアントラセンにおける自己束縛励起子
- 4p-TC-19 アントラキノン結晶の自由励起子,自己束縛励起子発光
- 14a-Q-4 有機結晶の発光スペクトルに現れる誘導放出効果
- KCl : Ag,Pbのエネルギーの共鳴伝達 : イオン結晶光物性 : 光学的性質II
- KCl : Agの蛍光のdecayについて : イオン結晶光物性 : 光学的性質II
- 28a-YE-7 CuCl/CuBr多層薄膜の結晶成長と吸収・発光特性
- KCl:Tl蛍光の偏光 : 光物性・イオン結晶
- KCl : Tlの蛍光の偏光について : イオン結晶光物性 : 光学的性質II
- 8p-L-6 KI/Tlの勵起子誘導の蛍光について
- 3a-B2-3 アルカリハライドにおける自己束縛励起子の無輻射消滅過程(イオン結晶・光物性)
- 28a-J-1 LiBr結晶の緩和励起子発光(28aJ イオン結晶・光物性(局在中心,緩和励起子))