アルカリハライド結晶内不純物の蛍光のdecay time(イオン結晶)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1963-10-13
著者
関連論文
- 3a-X-10 (n11)面方位InGaAs/GaAs歪量子井戸の光学遷移に対する圧電効果
- 29a-Z-1 GaAs/AlGaAs超格子のミニバンド状態におけるフランツ-ケルディッシュ振動
- 31a-YL-6 GaAs/AlGaAs 超格子のポテンシャル障壁上電子状態に対する電場効果II
- 5a-F-13 GaAs/AlAs超格子のシュタルク階段遷移振動子強度の電場依存性
- 5a-F-11 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ-II : 遷移強度IV
- 28p-K-12 GaAs/AlGaAs超格子のポテンシャル障壁上電子状態に対する電場効果
- 28p-K-11 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ : II遷移強度III
- 13a-DE-3 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ-II遷移強度(II)
- 1a-N-14 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ-II遷移強度
- 2a-D-17 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ-II発光のフォノンサイドバンド
- 25pD-11 GaAs/AlAs超格子の発光特性におけるサブバンド間散乱効果
- 29p-ZE-9 GaAs/AlAs二重量子井戸超格子におけるサブバンド間共鳴
- 27p-YN-14 GaAs/AlAsタイプ-I超格子において電場により誘起されるΓ-X交差
- 2p-YH-6 GaAs/AlGaAs超格子のポテンシャル障壁上ミニバンド状態におけるフランツ・ケルディッシュ振動
- 極薄膜障壁層を有するGaAs/AlAs超格子のミニバンド構造(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
- 半導体超格子の多重ミニバンド構造に対する電場効果(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
- 5p-E-14 GaAs/InAlAsタイプ : I超格子におけるタイプ : II発光の出現
- 5p-E-12 GaAs/AlAs タイプ : II超格子におけるX電子共鳴
- 31a-R-7 GaAs/AlAs Type-II超格子における発光特性の電場依存性
- 極薄膜障壁層を有するGaAs/AlAs超格子のミニバンド構造
- 1p-S-1 KI:Tl^+における励起子吸収帯刺激による発光
- 25aC-9 GaInNAs/GaAsタイプ-II量子井戸構造における発光特性
- 30p-ZE-15 GaInNAs/GaAs量子井戸の光学特性(II)
- 27a-YN-13 GaInNAs/GaAs量子井戸の光学特性
- 5p-E-13 In_Ga_As/GaAs歪量子井戸におけるタイプ : II軽い正孔励起子
- 31a-R-6 (lln)面方位InGaAs/GaAs歪量子井戸における光変調反射特性
- 真空蒸着法により結晶成長したCuCl-CuBr混晶薄膜の励起子スペクトル
- 23pXD-2 CsI:Na シンチレータにおけるNa発光機構
- 23pN-11 真空蒸着CuI-CuBr混晶薄膜の励起子エネルギー
- 23aN-18 GaSb/AlSb超格子におけるコヒーレントLOフォノンの研究
- 22aM-20 CuI薄膜における励起子-励起子散乱による発光II
- 24aL-12 GaAs/AlAsタイプ-II超格子の光電流-電圧特性と発光特性に対するサブバンド共鳴効果
- 24aL-9 GaAs/AlAsタイプ-I超格子における強励起条件での発光特性
- 30p-ZH-13 CsI薄膜シンチレータの光学特性
- 30p-ZH-12 真空蒸着CuI薄膜結晶における重い正孔励起子と軽い正孔励起子の発光特性
- 真空蒸着法により作成したCsI-RbI混晶の結晶性と光学特性
- 3a-TB-10 KF中のF中心の蛍光の発光機構
- NaF : Fの発光の消光 : イオン結晶
- KBr : F及びRbcl : Fの蛍光の発光機構 : イオン結晶
- 13a-N-7 KCl:F,FAの蛍光
- KCl:NaのF_Aの光照射による再配向 : イオン結晶・光物性 : 色中心・不純物中心
- 閃光照射による色中心の変換 : 光物性・イオン結晶
- KCl:Na結晶中のF'中心のlife time : イオン結晶・光物性
- 閃光照射による色中心変換の研究 : イオン結晶光物性 : 光学的性質II
- 9a-L-4 反応過程に於けるKCl;F'中心の分光吸收
- 28p-YP-7 エピタキシー効果によるCuI薄膜の結晶構造転移
- 31a-YG-8 真空蒸着CuI薄膜の結晶構造と光学特性
- 29a-J-13 CsI結晶(室温)における4.0eV発光の起源
- 15a-DD-10 CsI結晶における自己束縛励起子発光の静水圧効果
- 2a-YH-11 GaAs/AlAs、GaAs/AlGaAs超格子におけるL点近傍の量子状態
- 5p-E-16 GaAs/Al_xGaAs超格子のE_0、E_1およびE_2遷移エネルギー領域での光変調反射特性
- 31a-R-5 GaAs/AlAs超格子におけるL点近傍の量子状態
- 13a-N-8 KBr:F^'の熱イオン化過程
- KCl:NaのF'_Aの熱励起の過程 : イオン結晶・光物性 : 色中心・不純物中心
- 4p-TC-21 アントラセン結晶における自己束縛励起子
- KcliF中心の螢光のdecay time : イオン結晶
- アルカリハライド結晶内不純物の蛍光のdecay time(イオン結晶)
- 13p-N-6 KI:Tl^+のTl間のエネルギー共鳴伝達
- 30a-Z-10 半導体超格子のフォトリフレクタンススペクトルの形状
- 3p-C-10 GaAs/AlAs短周期超格子のタイプII発光エネルギーの温度依存性
- 28p-K-4 GaAs/AlAs超格子における励起子反射スペクトルの微細構造
- 3p-D3-7 ビレン結晶の共鳴励起下での自由励起子発光
- 8p-C-3 ピレン結晶におけるExcimerの拡散
- 3a-K-3 ピレン結晶内のエネルギー伝達
- 3a-K-2 アントラセン結晶の一重項励起子の拡散
- アントラセン一重項励起子の拡散 : 分子結晶・有機半導体
- 白金系ハロゲン架橋一次元混合原子価錯体における構造の二次元性と水素結合
- 30p-N-6 アルカリ沃化物における自由励起子発光
- 31-p-N-7 アントラセン微粒子の育成と発光
- 29a-Z-2 GaAs/AlAsタイプ-II超格子における準直接遷移型励起子の高密度励起状態
- 31a-YL-9 GaAs/AlAsタイプ-II超格子における励起子分子形成
- 5a-F-10 GaAs/AlAsタイプ-II : 超格子における光変調反射特性
- 2a-YH-10 GaAs/AlAsタイプ-II超格子の高密度励起状態における発光特性
- 1p-S-2 RbIの励起子の拡散
- 2p-YK-10 KBr:Iのシンチレータとしての光学特性
- GaAs/AlAsタイプ-II超格子における励起子分子形成(III)
- 3a-X-8 GaAs/AlAsタイプ-II超格子における励起子分子形成(II)
- 28a-YN-11 CsIにおいて高圧下で観測される4.7eV発光帯の特性
- 29a-J-11 一軸性応力下における RbI 自己束縛励起子発光の偏光特性
- 31a GB-1 NaIにおけるn=1自由励起子からの発光
- 9a-A-11 RbI:Tlの励起子吸収帯刺激による螢光
- 15a-DD-9 RbI薄膜結晶の光学特性
- 14p-S-5 テトラセンの発光スペクトルと励起子の格子緩和
- 3a-P-10 KI:Tl,RbI:Tlの励起子吸収帯刺激による螢光
- X線照射したKI:Tlの螢光 : イオン結晶・光物性
- 5p-L-6 KCl:In^+,KBr:Sn^蛍光の減衰時間と偏り
- 13p-N-7 KCl:Ag^+蛍光の減衰時間
- 4p-TC-20 β-ジクロルアントラセンにおける自己束縛励起子
- 4p-TC-19 アントラキノン結晶の自由励起子,自己束縛励起子発光
- 14a-Q-4 有機結晶の発光スペクトルに現れる誘導放出効果
- KCl : Ag,Pbのエネルギーの共鳴伝達 : イオン結晶光物性 : 光学的性質II
- KCl : Agの蛍光のdecayについて : イオン結晶光物性 : 光学的性質II
- 28a-YE-7 CuCl/CuBr多層薄膜の結晶成長と吸収・発光特性
- KCl:Tl蛍光の偏光 : 光物性・イオン結晶
- KCl : Tlの蛍光の偏光について : イオン結晶光物性 : 光学的性質II
- 8p-L-6 KI/Tlの勵起子誘導の蛍光について
- 1a-G4-7 水素結合を含む電荷移動錯体の相転移(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 3a-B2-3 アルカリハライドにおける自己束縛励起子の無輻射消滅過程(イオン結晶・光物性)
- 28a-J-1 LiBr結晶の緩和励起子発光(28aJ イオン結晶・光物性(局在中心,緩和励起子))
- 3a-D5-8 励起子共鳴発光の減衰曲線 : 励起子拡散と再吸収効果(3a D5 イオン結晶・光物性(励起子・ポラリトン・ピコ秒分光),イオン結晶・光物性)