25pSB-3 GaAs/AlAs超格子におけるシュタルク階段状態発光
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2000-09-10
著者
-
竹内 日出雄
滋賀県立大工
-
中山 正昭
大阪市大工
-
大谷 直毅
ATR環境適応通信研究所
-
竹内 日出雄
大阪市大工
-
會田 田人
ATR環境適応通信研究所
-
福田 一人
大阪市大工
-
大谷 直毅
同志社大学理工学部電子工学科
-
岡本 論士
大阪市大工
-
會田 田人
Atr環境適応通研
-
大谷 直毅
ATR環境適応通信研
関連論文
- 23aPS-39 GaAsベース希薄窒化物半導体エピタキシャル層におけるテラヘルツ電磁波の極性反転(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
- 20aHQ-8 i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造からのテラヘルツ電磁波発生の層厚依存性(20aHQ 超高速現象・量子井戸,領域5(光物性))
- 3a-X-10 (n11)面方位InGaAs/GaAs歪量子井戸の光学遷移に対する圧電効果
- 29a-Z-1 GaAs/AlGaAs超格子のミニバンド状態におけるフランツ-ケルディッシュ振動
- 31a-YL-6 GaAs/AlGaAs 超格子のポテンシャル障壁上電子状態に対する電場効果II
- 5a-F-13 GaAs/AlAs超格子のシュタルク階段遷移振動子強度の電場依存性
- 5a-F-11 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ-II : 遷移強度IV
- 28p-K-12 GaAs/AlGaAs超格子のポテンシャル障壁上電子状態に対する電場効果
- 28p-K-11 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ : II遷移強度III
- 13a-DE-3 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ-II遷移強度(II)
- 1a-N-14 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ-II遷移強度
- 2a-D-17 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ-II発光のフォノンサイドバンド
- 2p-YG-6 Two-Color Pump-Probe法による半導体超格子中のコヒーレント折り返し音響フォノン
- 5a-A2-16 GaAs/AlAsヘテロ構造の界面フォノン・ポラリトンによるラマン散乱
- GaAs/AlAs超格子のサブバンド特性とフィールドエミッタへの応用
- 27pXB-12 アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル層構造における高強度テラヘルツ電磁波発生(超高速現象,領域5,光物性)
- 29a-S-7 非晶質 GeSe_2 の結晶化温度の試料作成法依存性
- 25pPSB-30 アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル構造からのテラヘルツ電磁波の時間分割Fourier変換解析(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
- 25pD-11 GaAs/AlAs超格子の発光特性におけるサブバンド間散乱効果
- 29p-ZE-9 GaAs/AlAs二重量子井戸超格子におけるサブバンド間共鳴
- 27p-YN-14 GaAs/AlAsタイプ-I超格子において電場により誘起されるΓ-X交差
- 2p-YH-6 GaAs/AlGaAs超格子のポテンシャル障壁上ミニバンド状態におけるフランツ・ケルディッシュ振動
- 極薄膜障壁層を有するGaAs/AlAs超格子のミニバンド構造(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
- 半導体超格子の多重ミニバンド構造に対する電場効果(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
- 5p-E-14 GaAs/InAlAsタイプ : I超格子におけるタイプ : II発光の出現
- 5p-E-12 GaAs/AlAs タイプ : II超格子におけるX電子共鳴
- 31a-R-7 GaAs/AlAs Type-II超格子における発光特性の電場依存性
- 極薄膜障壁層を有するGaAs/AlAs超格子のミニバンド構造
- 2a-D-16 周期にゆらぎのあるGaAs/AlAs超格子のラマンスペクトル II
- 30p-Z-1 GaAs-AlAs超格子のラマンスペクトルに対する光侵入長の影響
- 3a-C-5 周期にゆらぎのあるGaAs-AlAs超格子のラマンスペクトル
- 25aC-9 GaInNAs/GaAsタイプ-II量子井戸構造における発光特性
- 30p-ZE-15 GaInNAs/GaAs量子井戸の光学特性(II)
- 27a-YN-13 GaInNAs/GaAs量子井戸の光学特性
- 5p-E-13 In_Ga_As/GaAs歪量子井戸におけるタイプ : II軽い正孔励起子
- 31a-R-6 (lln)面方位InGaAs/GaAs歪量子井戸における光変調反射特性
- 真空蒸着法により結晶成長したCuCl-CuBr混晶薄膜の励起子スペクトル
- 共鳴下におけるGaAs-AlAsフィボナッチ超格子のコヒーレント振動
- 17aRE-13 長周期GaAs/AlAs超格子におけるコヒーレントフォノン
- ポンプ・プローブ法によるGaAs-AlAsフィボナッチ超格子中のコヒーレント音響フォノンの測定
- 17aRF-5 CsI:X(X=Li,Na,K,Rb)薄膜のシンチレーション特性
- 23pXD-2 CsI:Na シンチレータにおけるNa発光機構
- 23pN-11 真空蒸着CuI-CuBr混晶薄膜の励起子エネルギー
- 23aN-18 GaSb/AlSb超格子におけるコヒーレントLOフォノンの研究
- 22aM-20 CuI薄膜における励起子-励起子散乱による発光II
- 24aL-12 GaAs/AlAsタイプ-II超格子の光電流-電圧特性と発光特性に対するサブバンド共鳴効果
- 24aL-9 GaAs/AlAsタイプ-I超格子における強励起条件での発光特性
- 30p-ZH-13 CsI薄膜シンチレータの光学特性
- 30p-ZH-12 真空蒸着CuI薄膜結晶における重い正孔励起子と軽い正孔励起子の発光特性
- 真空蒸着法により作成したCsI-RbI混晶の結晶性と光学特性
- 30pYH-4 GaAs/AlGaAs 量子井戸構造の励起子発光ダイナミクスに対する界面効果
- 28p-YP-7 エピタキシー効果によるCuI薄膜の結晶構造転移
- 31a-YG-8 真空蒸着CuI薄膜の結晶構造と光学特性
- 29a-J-13 CsI結晶(室温)における4.0eV発光の起源
- 15a-DD-10 CsI結晶における自己束縛励起子発光の静水圧効果
- 28aYA-10 GaAs/AlAs超格子のコヒーレント折返し縦音響フォノンにおける有限周期数効果
- 25pXD-5 (n11)面方位GaAs/InAlAs超格子におけるコヒーレントフォノン
- 19aYJ-3 GaAS/AlAsタイプ-II超格子のシュタルク階段発光に対する界面効果
- 28pTB-3 GaAs/AlAs超格子におけるミニバンド端からの発光
- GaAs/AlAs type-I 超格子におけるΓ-X ミキシングに影響されたキャリアトランスポート
- 三重障壁トンネリングに及ぼす空間電荷の効果
- 2a-YH-11 GaAs/AlAs、GaAs/AlGaAs超格子におけるL点近傍の量子状態
- 5p-E-16 GaAs/Al_xGaAs超格子のE_0、E_1およびE_2遷移エネルギー領域での光変調反射特性
- 31a-R-5 GaAs/AlAs超格子におけるL点近傍の量子状態
- 27p-YN-5 GaAs/AlAs超格子構造のおける高次サブバンドからのフォトルミネッセンス
- 13a-DE-4 GaAs-AlAs超格子におけるコヒーレントフォノン
- 18aPS-19 InAs/GaAs歪超格子の障壁層中の縦光学フォノンと結合したコヒーレントプラズモン
- 25pSB-3 GaAs/AlAs超格子におけるシュタルク階段状態発光
- 27p-Z-10 真空蒸着銅ハライド薄膜における自由励起子発光
- 28a-YB-7 フェムト秒精密ポンプ・プローブ分光によるGaAs/AlAs超格子中のコヒーレントフォノンの測定 IV
- 30p-W-14 フェムト秒精密ポンプ・プローブ分光によるGaAs-AlAs超格子中のコヒーレントフォノンの測定
- 量子井戸マイクロチューブとウイスパリング・ギャラリーモードの発生
- 半導体超格子サブバンドの可視化技術
- 直接遷移型GaAs/AlAs半導体超格子のPL特性に対するX準位の影響
- 30a-Z-10 半導体超格子のフォトリフレクタンススペクトルの形状
- 3p-C-10 GaAs/AlAs短周期超格子のタイプII発光エネルギーの温度依存性
- 28p-K-4 GaAs/AlAs超格子における励起子反射スペクトルの微細構造
- 28a-YB-6 フェムト秒光パルス列を用いたコヒーレントフォノンの研究
- 29a-Z-2 GaAs/AlAsタイプ-II超格子における準直接遷移型励起子の高密度励起状態
- 31a-YL-9 GaAs/AlAsタイプ-II超格子における励起子分子形成
- 5a-F-10 GaAs/AlAsタイプ-II : 超格子における光変調反射特性
- 2a-YH-10 GaAs/AlAsタイプ-II超格子の高密度励起状態における発光特性
- 半導体超格子における電界ドメイン形成と光電流発振
- 28aHC-3 i-GaAs/n-GaAs構造におけるLOフォノン-プラズモン結合モードからのテラヘルツ電磁波放射(28aHC 超高速現象,領域5(光物性))
- 28p-C-10 GaAs/AlAs超格子におけるLAフォノン折返しモードによるラマン散乱強度比の入射エネルギー依存性
- 2p-YK-10 KBr:Iのシンチレータとしての光学特性
- 26aPS-87 六方晶構造ワイドバンドギャップ半導体ウェハ内の歪マッピングに対する円偏光クロスニコル測定の高感度性(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- GaAs/AlAsタイプ-II超格子における励起子分子形成(III)
- 3a-X-8 GaAs/AlAsタイプ-II超格子における励起子分子形成(II)
- 28a-YN-11 CsIにおいて高圧下で観測される4.7eV発光帯の特性
- 29a-J-11 一軸性応力下における RbI 自己束縛励起子発光の偏光特性
- 15a-DD-9 RbI薄膜結晶の光学特性
- 21pRB-9 (11n)面方位GaAs/InAlAs歪み多重量子井戸におけるコヒーレントLOフォノンからのテラヘルツ電磁波発生(21pRB 超高速現象,領域5(光物性))
- 21pRB-6 GaSb/GaAsエピタキシャル構造における遮光されたGaAs緩衝層のコヒーレント縦光学フォノンからのテラヘルツ電磁波発生(21pRB 超高速現象,領域5(光物性))
- 28a-YE-7 CuCl/CuBr多層薄膜の結晶成長と吸収・発光特性
- 26pBL-6 i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造における縦光学フォノン・プラズモン結合モードによるテラヘルツ電磁波(26pBL 超高速現象,領域5(光物性))
- 19aHB-7 GaSb/GaAsエピタキシャル構造におけるコヒーレント縦光学フォノン緩和過程のテラヘルツ分光(19aHB 超高速現象,領域5(光物性))
- 28pPSB-18 ZnOウェハの結晶粒界が引き起こす励起子発光強度の増強(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))
- 6pSA-1 GaAs/AlAs多重量子井戸構造におけるサブバンド間遷移エレクトロルミネッセンス(量子井戸・超格子,領域4,領域5合同,領域4)
- 28a-J-1 LiBr結晶の緩和励起子発光(28aJ イオン結晶・光物性(局在中心,緩和励起子))