23aPS-39 GaAsベース希薄窒化物半導体エピタキシャル層におけるテラヘルツ電磁波の極性反転(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))

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概要

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• 2010-03-01

著者

• 竹内 日出雄

  滋賀県立大工

• 柳沢 淳一

  滋賀県立大工

• 橋本 淳

  大阪市大工

• 中山 正昭

  大阪市大工

• 中山 正昭

  大阪市大 大学院工学研究科

• 柳沢 淳一

  滋賀県立大学工学部

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