27p-Z-10 真空蒸着銅ハライド薄膜における自由励起子発光

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 1995-09-12

著者

• 竹内 日出雄

  滋賀県立大工

• 中山 正昭

  大阪市大・工

• 西村 仁

  大阪市大・工

• 濱崎 賢太

  大阪市大・工

• 宗村 敦司

  大阪市大・工

• 竹内 日出雄

  大阪市大・工

• 宗村 敦司

  大阪市大工

関連論文

• 23aPS-39 GaAsベース希薄窒化物半導体エピタキシャル層におけるテラヘルツ電磁波の極性反転(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
• 20aHQ-8 i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造からのテラヘルツ電磁波発生の層厚依存性(20aHQ 超高速現象・量子井戸,領域5(光物性))
• 13a-DE-2 GaAs/AlAs短周期超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンスVII
• 1a-N-4 GaAs/AlAs短周期超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンスVI
• 28a-ZH-4 光変調反射分光法による(GaAs)_x/(InA)_1歪超格子の非束縛電子・正孔状態の検出
• 28p-W-8 GaAs/AlAs短周期超格子のおけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンス IV
• 30p-A-10 GaAs/InAs歪超格子の発光特性
• 28p-C-8 GaAs/AlAs短周期超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンスIII
• 25p-X-22 GaAs/In_xAl_As歪み超格子のフォトリフレクタンス
• 25a-M-4 GaAs/AlAs短周期超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンスII
• 1p-A-16 アルカリ ハライドにおける一中心型自己束縛励起子の発光
• 27pXB-12 アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル層構造における高強度テラヘルツ電磁波発生(超高速現象,領域5,光物性)
• 29a-S-7 非晶質 GeSe_2 の結晶化温度の試料作成法依存性
• 25pPSB-30 アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル構造からのテラヘルツ電磁波の時間分割Fourier変換解析(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
• 25pD-11 GaAs/AlAs超格子の発光特性におけるサブバンド間散乱効果
• 17aRE-13 長周期GaAs/AlAs超格子におけるコヒーレントフォノン
• 29p-YQ-6 ナフタレン結晶の電気四重極子型励起子ポラリトン伝播過程における干渉
• 23aN-18 GaSb/AlSb超格子におけるコヒーレントLOフォノンの研究
• 25aC-10 GaAs/AlAsタイプ-II超格子におけるタイプ-I電子・正孔プラズマ発光
• 31p-ZH-6 GaAs/AlAsタイプ-II超格子における高密度励起状態の発光特性(III)
• 4a-B-13 アルカリハライド緩和励起子の安定性と発光特性
• 28aYA-10 GaAs/AlAs超格子のコヒーレント折返し縦音響フォノンにおける有限周期数効果
• 25pXD-5 (n11)面方位GaAs/InAlAs超格子におけるコヒーレントフォノン
• 23pRA-15 GaAs/AlAsタイプ-II 超格子における励起子-励起子分子系の異常分布
• p-3 真空蒸着CuCl-CuBr混晶薄膜における高密度励起状態の発光特性(第43回物性若手夏の学校(1998年度),講義ノート)
• 27a-YM-7 真空蒸着CuCl薄膜における束縛励起子分子発光
• 27a-YM-6 GaAs/AlAsタイプ-II超格子における高密度励起状態の発光特性(II)
• 2p-YM-1 真空蒸着CuCl-CuBr混晶薄膜における高密度励起状態の発光特性
• CuBr薄膜における強励起状態の発光特性(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
• 8a-J-10 真空蒸着CuCl薄膜の高励起密度状態における発光特性
• 30p-YB-13 CuBr薄膜における強励起状態の発光特性
• 18aPS-19 InAs/GaAs歪超格子の障壁層中の縦光学フォノンと結合したコヒーレントプラズモン
• 25pSB-3 GaAs/AlAs超格子におけるシュタルク階段状態発光
• 27p-Z-10 真空蒸着銅ハライド薄膜における自由励起子発光
• 2a-D-13 GaAs/AlAs超周期超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンス
• InGaAs/GaAs歪み量子井戸における軽い正孔励起子束縛エネルギーのバントオフセット依存性
• 3a-X-7 GaAs/AlAs量子井戸構造におけるタイプ-I、タイプ-II励起子束縛エネルギーの計算
• 28aHC-3 i-GaAs/n-GaAs構造におけるLOフォノン-プラズモン結合モードからのテラヘルツ電磁波放射(28aHC 超高速現象,領域5(光物性))
• 26aPS-87 六方晶構造ワイドバンドギャップ半導体ウェハ内の歪マッピングに対する円偏光クロスニコル測定の高感度性(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• GaAs/AlAsタイプ-II超格子における励起子分子形成(III)
• 3a-X-8 GaAs/AlAsタイプ-II超格子における励起子分子形成(II)
• 3a-Z-6 Csl結晶における自己束縛励起子発光の静水圧効果II
• 27a-E-10 NaIにおける電子・正孔再結合によるn=1自由励起子発光
• 21pRB-9 (11n)面方位GaAs/InAlAs歪み多重量子井戸におけるコヒーレントLOフォノンからのテラヘルツ電磁波発生(21pRB 超高速現象,領域5(光物性))
• 21pRB-6 GaSb/GaAsエピタキシャル構造における遮光されたGaAs緩衝層のコヒーレント縦光学フォノンからのテラヘルツ電磁波発生(21pRB 超高速現象,領域5(光物性))
• KBr:Tlの蛍光の減衰時間と偏光 : イオン結晶・光物性 : 色中心・不純物中心
• 26pBL-6 i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造における縦光学フォノン・プラズモン結合モードによるテラヘルツ電磁波(26pBL 超高速現象,領域5(光物性))
• 19aHB-7 GaSb/GaAsエピタキシャル構造におけるコヒーレント縦光学フォノン緩和過程のテラヘルツ分光(19aHB 超高速現象,領域5(光物性))
• 28pPSB-18 ZnOウェハの結晶粒界が引き起こす励起子発光強度の増強(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))
• 29p-BH-14 NaIにおける自由及び自己束縛励起子の無輻射消減(29p BH イオン結晶・光物性(超格子,ピコ秒分光,励起子))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク