1a-N-4 GaAs/AlAs短周期超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンスVI
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1993-03-16
著者
-
田中 功
大阪市大工
-
田中 功
大阪市大・工
-
中山 正昭
大阪市大・工
-
西村 仁
大阪市大・工
-
川島 健児
三洋電機(株)・半導体研
-
藤原 賢三
九州工大・工
-
川島 健児
九州工大(工)
-
藤原 賢三
九州工大
関連論文
- 29a-Z-1 GaAs/AlGaAs超格子のミニバンド状態におけるフランツ-ケルディッシュ振動
- 31a-YL-6 GaAs/AlGaAs 超格子のポテンシャル障壁上電子状態に対する電場効果II
- 5a-F-13 GaAs/AlAs超格子のシュタルク階段遷移振動子強度の電場依存性
- 5a-F-11 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ-II : 遷移強度IV
- 28p-K-12 GaAs/AlGaAs超格子のポテンシャル障壁上電子状態に対する電場効果
- 28p-K-11 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ : II遷移強度III
- 13a-DE-3 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ-II遷移強度(II)
- 13a-DE-2 GaAs/AlAs短周期超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンスVII
- 1a-N-14 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ-II遷移強度
- 1a-N-4 GaAs/AlAs短周期超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンスVI
- 28a-ZH-4 光変調反射分光法による(GaAs)_x/(InA)_1歪超格子の非束縛電子・正孔状態の検出
- 26a-ZH-7 GaAs/AlAs短周期超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンス V
- 半導体超格子のワニエ・シュタルク局在状態とその共鳴
- 28p-F-5 ミニバンド分散を有するGaAs/AlAs超格子のフォトリフレクタンス特性
- 28p-W-8 GaAs/AlAs短周期超格子のおけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンス IV
- 30p-A-10 GaAs/InAs歪超格子の発光特性
- 28p-C-8 GaAs/AlAs短周期超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンスIII
- 25p-X-22 GaAs/In_xAl_As歪み超格子のフォトリフレクタンス
- 25a-M-4 GaAs/AlAs短周期超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンスII
- 2a-D-17 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ-II発光のフォノンサイドバンド
- 1p-A-16 アルカリ ハライドにおける一中心型自己束縛励起子の発光
- 2p-YH-6 GaAs/AlGaAs超格子のポテンシャル障壁上ミニバンド状態におけるフランツ・ケルディッシュ振動
- 半導体超格子の多重ミニバンド構造に対する電場効果(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
- 5p-E-12 GaAs/AlAs タイプ : II超格子におけるX電子共鳴
- 31a-R-7 GaAs/AlAs Type-II超格子における発光特性の電場依存性
- 29p-YQ-6 ナフタレン結晶の電気四重極子型励起子ポラリトン伝播過程における干渉
- 25aC-10 GaAs/AlAsタイプ-II超格子におけるタイプ-I電子・正孔プラズマ発光
- 31p-ZH-6 GaAs/AlAsタイプ-II超格子における高密度励起状態の発光特性(III)
- 4a-B-13 アルカリハライド緩和励起子の安定性と発光特性
- 23pRA-15 GaAs/AlAsタイプ-II 超格子における励起子-励起子分子系の異常分布
- p-3 真空蒸着CuCl-CuBr混晶薄膜における高密度励起状態の発光特性(第43回物性若手夏の学校(1998年度),講義ノート)
- 27a-YM-7 真空蒸着CuCl薄膜における束縛励起子分子発光
- 27a-YM-6 GaAs/AlAsタイプ-II超格子における高密度励起状態の発光特性(II)
- 2p-YM-1 真空蒸着CuCl-CuBr混晶薄膜における高密度励起状態の発光特性
- CuBr薄膜における強励起状態の発光特性(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
- 8a-J-10 真空蒸着CuCl薄膜の高励起密度状態における発光特性
- 30p-YB-13 CuBr薄膜における強励起状態の発光特性
- GaAs/AlAs type-I 超格子におけるΓ-X ミキシングに影響されたキャリアトランスポート
- 空間電荷スクリーニングによる、短周期超格子デバイスにおける光キャリアー輸送の阻害
- 5p-E-11 非対称2重周期GaAs/AlAs超格子における光学遷移の反交差と励起子効果
- 13a-DE-12 GaAs/AlAs超格子の光吸収スペクトルにおける鞍点光学遷移
- 27p-Z-10 真空蒸着銅ハライド薄膜における自由励起子発光
- 2a-D-13 GaAs/AlAs超周期超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンス
- 30a-Z-10 半導体超格子のフォトリフレクタンススペクトルの形状
- 3p-C-16 間接遷移型GaAs/AlAs超格子における端面発光の偏向特性
- 3p-C-10 GaAs/AlAs短周期超格子のタイプII発光エネルギーの温度依存性
- 5p-E-10 非対称二重周期超格子のワニエシュタルク局在現象
- 25a-M-6 In_xGa_As/Al_Ga_As歪量子井戸の光学遷移とバンドオフセット
- 25a-M-3 GaAs/AlAs超格子のワニエ・シュタルク局在と励起子スペクトル形状
- InGaAs/GaAs歪み量子井戸における軽い正孔励起子束縛エネルギーのバントオフセット依存性
- 3a-X-7 GaAs/AlAs量子井戸構造におけるタイプ-I、タイプ-II励起子束縛エネルギーの計算
- 27p-YN-1 GaAs/AlAs超格子のΓ_1-Γ_2共鳴結合と光学遷移の選択性
- 2a-D-12 二重周期GaAs/AlAs超格子のワニエ・シュタルク局在性
- 3a-Z-6 Csl結晶における自己束縛励起子発光の静水圧効果II
- 27a-E-10 NaIにおける電子・正孔再結合によるn=1自由励起子発光
- KBr:Tlの蛍光の減衰時間と偏光 : イオン結晶・光物性 : 色中心・不純物中心
- 29p-BH-14 NaIにおける自由及び自己束縛励起子の無輻射消減(29p BH イオン結晶・光物性(超格子,ピコ秒分光,励起子))