中山 正昭 | 大阪市大・工
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概要
関連著者
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中山 正昭
大阪市大・工
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西村 仁
大阪市大・工
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西村 仁
関西外語大
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市田 秀樹
大阪市大工
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市田 秀樹
大阪市大・工
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田中 功
大阪市大工
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田中 功
大阪市大・工
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川島 健児
九州工大(工)
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藤原 賢三
九州工大
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川島 健児
ATR光電波通研
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土口 知範
大阪市大・工
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金 大貴
大阪市大・工
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藤原 賢三
ATR光電波研
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土口 知範
阪市大・工
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濱崎 賢太
大阪市大・工
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川島 健児
三洋電機(株)・半導体研
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藤原 賢三
九州工大・工
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藤田 尊
大阪市大・工
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朴 志聖
通信総合研究所関西
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朴 志聖
大阪市大・工
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西村 仁
関西外国語大学
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竹内 日出雄
滋賀県立大工
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松井 敦男
有機光材料研究所神戸分室
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松井 敦男
甲南大理
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松井 敦男
甲南大・理
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藤原 賢三
三菱電機(株)中研
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高 清輝
大阪市大・工
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松井 敦男
甲南大学理学部物理学科
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中村 雅司
大阪市大・工
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永田 竣嗣
大阪市大・工
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田中 貞夫
大阪市大・工
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辻元 俊夫
大阪市大工
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熊本 泰宏
大阪市大・工
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宗村 敦司
大阪市大・工
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竹内 日出雄
大阪市大・工
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宗村 敦司
大阪市大工
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辻元 俊夫
大阪市大・工
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藤原 賢三
三菱電機(株)中央研究所
著作論文
- 13a-DE-2 GaAs/AlAs短周期超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンスVII
- 1a-N-4 GaAs/AlAs短周期超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンスVI
- 28a-ZH-4 光変調反射分光法による(GaAs)_x/(InA)_1歪超格子の非束縛電子・正孔状態の検出
- 28p-W-8 GaAs/AlAs短周期超格子のおけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンス IV
- 30p-A-10 GaAs/InAs歪超格子の発光特性
- 28p-C-8 GaAs/AlAs短周期超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンスIII
- 25p-X-22 GaAs/In_xAl_As歪み超格子のフォトリフレクタンス
- 25a-M-4 GaAs/AlAs短周期超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンスII
- 29p-YQ-6 ナフタレン結晶の電気四重極子型励起子ポラリトン伝播過程における干渉
- 25aC-10 GaAs/AlAsタイプ-II超格子におけるタイプ-I電子・正孔プラズマ発光
- 31p-ZH-6 GaAs/AlAsタイプ-II超格子における高密度励起状態の発光特性(III)
- 4a-B-13 アルカリハライド緩和励起子の安定性と発光特性
- 23pRA-15 GaAs/AlAsタイプ-II 超格子における励起子-励起子分子系の異常分布
- p-3 真空蒸着CuCl-CuBr混晶薄膜における高密度励起状態の発光特性(第43回物性若手夏の学校(1998年度),講義ノート)
- 27a-YM-7 真空蒸着CuCl薄膜における束縛励起子分子発光
- 27a-YM-6 GaAs/AlAsタイプ-II超格子における高密度励起状態の発光特性(II)
- 2p-YM-1 真空蒸着CuCl-CuBr混晶薄膜における高密度励起状態の発光特性
- CuBr薄膜における強励起状態の発光特性(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
- 8a-J-10 真空蒸着CuCl薄膜の高励起密度状態における発光特性
- 30p-YB-13 CuBr薄膜における強励起状態の発光特性
- 27p-Z-10 真空蒸着銅ハライド薄膜における自由励起子発光
- 2a-D-13 GaAs/AlAs超周期超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンス
- InGaAs/GaAs歪み量子井戸における軽い正孔励起子束縛エネルギーのバントオフセット依存性
- 3a-X-7 GaAs/AlAs量子井戸構造におけるタイプ-I、タイプ-II励起子束縛エネルギーの計算
- 3a-Z-6 Csl結晶における自己束縛励起子発光の静水圧効果II