藤原 賢三 | 三菱電機(株)中研
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
藤原 賢三
三菱電機(株)中研
-
藤原 賢三
三菱電機(株)中央研究所
-
Cingolani R.
MPI-F
-
Ploog K.
MPI-F
-
Ploog K.
Pdi
-
Cingolani R.
Univ.lecce
-
藤原 賢三
九州工大(工)
-
大谷 誠
三菱電機(株)材料研究所
-
金山 清
三菱電機(株)中央研究所
-
大谷 誠
三菱電機(株)中央研究所
-
佐野 直克
関学大理
-
Schneider H.
Fraunhofer Inst.
-
佐野 直克
関西学院大学理学部
-
田中 功
大阪市大工
-
田中 功
大阪市大・工
-
中山 正昭
大阪市大・工
-
西村 仁
大阪市大・工
-
川島 健児
ATR光電波通研
-
Schneider H.
MPI-F
-
佐野 直克
関西学院大 理工
-
阿部 東彦
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
川島 健児
九州工大(工)
-
値賀 成昭
関学大理
-
藤原 賢三
九州工大
-
尾形 仁士
三菱電機(株)中央研究所
-
金山 清
三びし電機中研
-
西嶋 光昭
三菱電機(株)中央研究所
-
中山 春夫
三菱電機(株)北伊丹製作所
-
金本 恭三
三菱電機(株)中研
-
塚田 紀昭
三菱電機(株)中研
著作論文
- 28p-W-8 GaAs/AlAs短周期超格子のおけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンス IV
- 3p-C-7 高電界下におけるGaAs/AlAs超格子構造の励起子遷移とWannier-Stark 局在性
- 3p-C-6 結合したGaAs/AlAs量子井戸系における光学遷移と空間変調効果
- オージェ電子分光法による不純物の定量分析 : Si中のB, P, 及びAs, 並びにSiO2中のP
- オージェ電子分光法によるSi3N4膜中へのAlの拡散
- 29a-G-9 GaAs単一量子井戸励起子発光スペクトルとヘテロ界面秩序性(29aG 半導体(超格子))