田中 功 | 大阪市大工
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概要
関連著者
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田中 功
大阪市大工
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藤原 賢三
九州工大
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中山 正昭
大阪市大工
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西村 仁
大阪市大工
-
田中 功
大阪市大・工
-
中山 正昭
大阪市大・工
-
西村 仁
大阪市大・工
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川島 健児
九州工大(工)
-
藤原 賢三
九工大工
-
川島 健児
ATR光電波通研
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土口 知範
阪市大・工
-
土口 知範
大阪市大・工
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今澤 克之
大阪市大工
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Schneider H.
Fraunhofer Inst.
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安藤 雅信
豊田合成(株)開発部
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藤原 賢三
ATR光電波研
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安藤 雅信
大阪市大工
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Schneider H
Fraunhofer Inst.
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須山 幸治
大阪市大工
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川島 健児
三洋電機(株)・半導体研
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藤原 賢三
九州工大・工
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藤田 尊
大阪市大・工
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中山 正昭
大阪市立大学大学院 工学研究科電子情報系専攻 応用物理学講座
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川島 健児
三洋電機マイクロエレ研
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金本 恭三
三菱電機半導体研
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田中 功
大坂市大
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中山 正昭
大坂市大
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西村 仁
大坂市大
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田中 功
大阪市立大学工学部
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藤原 賢三
三菱電機株式会社中央研究所
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田中 功
阪市大・工
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中山 正昭
阪市大・工
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西村 仁
阪市大・工
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藤原 賢三
三菱電機(株)中研
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高 清輝
大阪市大・工
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土口 知範
大坂市大工
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西村 仁
阪市大工
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中山 正昭
阪市大工
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中山 正昭
大阪市立大学工学部
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金本 恭三
三菱中研
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金本 恭三
三菱電機半基研
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田中 功
大阪市立大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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土口 知範
大阪市大工
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播口 仁郎
大阪市大工
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木村 伊久夫
大阪市大工
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木村 伊久夫
阪市大工
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田中 功
阪市大工
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藤原 賢三
三菱電機(株)中央研究所
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中山 正昭
大阪市立大
著作論文
- 29a-Z-1 GaAs/AlGaAs超格子のミニバンド状態におけるフランツ-ケルディッシュ振動
- 31a-YL-6 GaAs/AlGaAs 超格子のポテンシャル障壁上電子状態に対する電場効果II
- 5a-F-13 GaAs/AlAs超格子のシュタルク階段遷移振動子強度の電場依存性
- 5a-F-11 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ-II : 遷移強度IV
- 28p-K-12 GaAs/AlGaAs超格子のポテンシャル障壁上電子状態に対する電場効果
- 28p-K-11 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ : II遷移強度III
- 13a-DE-3 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ-II遷移強度(II)
- 13a-DE-2 GaAs/AlAs短周期超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンスVII
- 1a-N-14 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ-II遷移強度
- 1a-N-4 GaAs/AlAs短周期超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンスVI
- 28a-ZH-4 光変調反射分光法による(GaAs)_x/(InA)_1歪超格子の非束縛電子・正孔状態の検出
- 26a-ZH-7 GaAs/AlAs短周期超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンス V
- 半導体超格子のワニエ・シュタルク局在状態とその共鳴
- 28p-F-5 ミニバンド分散を有するGaAs/AlAs超格子のフォトリフレクタンス特性
- 28p-W-8 GaAs/AlAs短周期超格子のおけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンス IV
- 30p-A-10 GaAs/InAs歪超格子の発光特性
- 28p-C-8 GaAs/AlAs短周期超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンスIII
- 25p-X-22 GaAs/In_xAl_As歪み超格子のフォトリフレクタンス
- 25a-M-4 GaAs/AlAs短周期超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンスII
- 2a-D-17 GaAs/AlAs短周期超格子におけるタイプ-II発光のフォノンサイドバンド
- 2a-D-13 GaAs/AlAs超周期超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態のエレクトロリフレクタンス
- 30a-Z-10 半導体超格子のフォトリフレクタンススペクトルの形状
- 3p-C-16 間接遷移型GaAs/AlAs超格子における端面発光の偏向特性
- 3p-C-10 GaAs/AlAs短周期超格子のタイプII発光エネルギーの温度依存性