3インチInP基板上への低暗電流メサ型GaInAs pin PDの作製
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概要
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社会の情報化の進展に伴い、通信システムの光化が急速に進行してきている。光通信システムにおいて、発光ダイオード(LED)、レーザダイオード(LD)、フォトダイオード(PD)等の光デバイスは必要不可欠な部品であるが、現時点では光デバイスのコストは光通信システム全体のコストのかなりの部分を占めており、光デバイスのコスト低減が望まれている。将来、加入者系にまで光化を進めていくためには、これらの光デバイスの低コスト化が必須である。今回、大量生産によるコスト低減を図るため、3インチInP基板上へのメサ型GaInAs pin PD作製の検討を行い、良好な試作結果を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
村田 道夫
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
矢野 浩
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
道口 健太郎
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
道口 健太郎
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
神山 博幸
住友電気工業(株) オプトエレクトロニクス研究所
-
西沢 秀明
住友電気工業(株) オプトエレクトロニクス研究所
-
村田 道夫
住友電気工業(株) オプトエレクトロニクス研究所
-
神山 博幸
住友電気工業 オプトエレクトロニクス研
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