InPパッシベーション構造pin PDを集積化した光電子集積デバイスとその応用
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概要
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光通信システムが普及し, 高速化が進むにつれ, それを構成する機器には更なる高性能化が要求されてくる。ところが, 機器の高性能化は, 新たなデバイス, 回路を付加することによる部品点数および実装工程数の増加, 延いては製造コストの上昇を招く。この事は, 光システムを加入者系にまで広く普及させる際の大きな障害となる。高性能かつ低コストな光通信用デバイスを実現する手段としては, 集積化技術が有望枠である。今回, 高性能, 低コストなデバイスを実現すべく, 低暗電流メサ型pin PDとパッシブデバイス(抵抗, コンデンサ)をワンチップ上に集積化したデバイス(集積pin PD)を作製したので報告する。また, この集積pin PDを用いてpin/AMPモジュールを試作, 評価したので, その結果についても併せて述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
矢野 浩
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
澤田 宗作
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
澤田 宗作
住友電気工業(株)
-
道口 健太郎
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
関口 剛
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
道口 健太郎
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
黒田 正孝
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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