InP系受信OEIC
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 大入力動作・広実装トレランスを有する裏面入射型PDの開発
- InPパッシベーション構造InGaAs/InP HBTの信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- 高均一,高信頼性特性を有するInP/InGaAs HBT の開発
- 高均一,高信頼性特性を有するInP/InGaAs HBTの開発
- SC-7-4 40Gb/s光通信用高速、高均一InP/GaInAs HBTの開発
- C-10-13 サブコレクタ埋め込み構造InP/InGaAs HBTの検討
- 3インチ径InP基板上へのGbit/s帯pin/HEMT受信OEICの作製
- C-3-105 パッシブアライメント構造を用いた小型10Gb/s PIN-AMPモジュールの開発
- InPパッシベーション構造pin PDを集積化した光電子集積デバイスとその応用
- InPパッシベ-ション構造pin PDとその応用
- 3インチInP基板上への低暗電流メサ型GaInAs pin PDの作製
- 雑音耐性に優れた光受信モジュール
- 3インチ径Feド-プInP基板上のInGaAs層の結晶性評価
- SC-10-4 Design of 77GHz InP based DHBT Push-Push MMIC VCO
- SC-10-4 Design of 77GHz InP based DHBT Push-Push MMIC VCO
- SC-9-1 InP HBT 特性の温度依存性モデリング
- SC-9-1 InP HBT 特性の温度依存性モデリング
- InPパッシベーション構造InGaAs/InP HBTの信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP系受信OEIC