雑音耐性に優れた光受信モジュール
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
FDDIやATM等の光LAN、SDH、ファイバチャネルに使用される光通信モジュールは、その使用環境が多様化され、高い雑音耐性が要求されている。今回、集積PD及びGaAs ICの2チップで双対受信回路を構成し雑音耐性を向上した光受信モジュールを開発したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
矢野 浩
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
澤田 宗作
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
澤田 宗作
住友電気工業(株)
-
熊谷 誠司
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
関口 剛
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
坂本 良二
住友電工 オプトエレクトロニクス研究所
-
坂本 良二
住友電気工業株式会社 オプトエレクトロニクス研究所
-
志賀 信夫
住友電気工業株式会社 オプトエレクトロニクス研究所
-
志賀 信夫
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
関連論文
- 大入力動作・広実装トレランスを有する裏面入射型PDの開発
- C-12-9 10G-EPON OLT用バースト対応TIA(C-12.集積回路,一般セッション)
- InPパッシベーション構造InGaAs/InP HBTの信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- 高均一,高信頼性特性を有するInP/InGaAs HBT の開発
- 高均一,高信頼性特性を有するInP/InGaAs HBTの開発
- SC-7-4 40Gb/s光通信用高速、高均一InP/GaInAs HBTの開発
- C-10-13 サブコレクタ埋め込み構造InP/InGaAs HBTの検討
- C-2-40 CATV用低歪みGaAsパワーアンプMMIC(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- 3インチ径InP基板上へのGbit/s帯pin/HEMT受信OEICの作製
- ロングホール用小型2.4Gb/s 3R光受信モジュール
- C-3-105 パッシブアライメント構造を用いた小型10Gb/s PIN-AMPモジュールの開発
- 高速GaAs-MESFETを用いた3.3V駆動10Gb/sプリアンプIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高速GaAs-MESFETを用いた3.3V駆動10Gb/sプリアンプIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InPパッシベーション構造pin PDを集積化した光電子集積デバイスとその応用
- InPパッシベ-ション構造pin PDとその応用
- 3インチInP基板上への低暗電流メサ型GaInAs pin PDの作製
- グレーディッドパルスドープチャネルヘテロ構造FET
- グレーディッドパルスドープチャネルヘテロ構造FET
- グレーディッドパルスドープチャネルヘテロ構造FET
- C-10-9 グレーディッドパルスドープチャネルヘテロ構造FET
- C-12-9 バースト対応TIAのためのTrを使ったスイッチ回路(センサ・有線通信,C-12.集積回路,一般セッション)
- AGC方式光受信用プリアンプICの開発
- C-2-42 5GHz帯低コスト4W GaAs WLANアンプモジュール(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- C-3-139 3.3V 単一電源同軸型 10Gb/s PD プリアンプモジュール
- 雑音耐性に優れた光受信モジュール
- 6-2 衛星放送受信用低雑音MMICアンプ
- 3) BSコンバータ用GaAs MMIC(〔コンシューマエレクトロニクス研究会 放送方式研究会 放送現業研究会〕合同)
- BSコンバータ用GaAsMMIC : コンシューマエレクトロニクス,放送方式,放送現業
- 10G-EPON OLT用トランスインピーダンスアンプ--トランジスタで構成したスイッチ回路の開発 (光通信システム)
- 3インチ径Feド-プInP基板上のInGaAs層の結晶性評価
- SC-10-4 Design of 77GHz InP based DHBT Push-Push MMIC VCO
- SC-10-4 Design of 77GHz InP based DHBT Push-Push MMIC VCO
- SC-9-1 InP HBT 特性の温度依存性モデリング
- SC-9-1 InP HBT 特性の温度依存性モデリング
- InPパッシベーション構造InGaAs/InP HBTの信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- 1.9GHz帯パワーアンプモジュール
- パルスドープMESFETを用いた1.5GHz帯パワーアンプモジュール
- 800MHz帯携帯電話レピータ用パワーアンプ
- 1.9GHz帯パワーアンプモジュール
- パルスドープMESFETを用いた1.5GHz帯パワーアンプモジュール
- 800MHz帯携帯電話レピータ用パワーアンプ
- GaAsICのシミュレーション技術
- InP系受信OEIC
- 10G-EPON OLT用トランスインピーダンスアンプ : トランジスタで構成したスイッチ回路の開発(コア・メトロシステム,光アクセスシステム・次世代PON,ブロードバンドアクセス方式,(広域)イーサネット,光伝達網(OTN),高速インターフェース,アナログ光伝送,量子通信,一般)
- BSコンバ-タ用GaAs MMIC
- PINアンプモジュ-ル
- CS-2-1 マイクロ波デバイス産業界から高等教育に期待すること(C-2. 高等専門教育課程におけるマイクロ波研究,シンポジウムセッション)
- 25G/40G用電界吸収型変調器ドライバICの開発
- B-9-1 高速スイッチングSiC JFETによるPWM電源(B-9.電子通信エネルギー技術,一般セッション)
- B-10-113 高利得50Gbit/s帯トランスインピーダンスアンプの開発(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
- C-4-13 400GbEに向けた1.3μm帯56Gbit/s EMLモジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- B-9-2 SiC JEFTによる高速スイッチング電源の開発(B-9.電子通信エネルギー技術,一般セッション)