GaN-based intersubband transitions for ultra fast optical switching(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
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概要
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窒化物半導体量子井戸中のサブバンド間遷移(ISBT)は,光通信波長帯域をカバーし、高速応答特性に優れるという特長があり、吸収飽和を利用した超高速全光スイッチング素子への応用が期待できる。これまでに光通信波長帯のISBTを実現し、ISBT波長が井戸中の強いビルトイン電界に影響を受けることを示した。さらに、超高速吸収回復特性の実証(波長4.5μmで150fs)と,吸収飽和エネルギー(波長1.48μmで0.5pJ/μm^2)の測定も行った。リッジ導波路でのISBT吸収の確認をし、また、GaN導波路で挿入損失評価も行った。最後にスイッチング動作の計算機シミュレーションを行い、10〜25pJのパルスエネルギーで消光比10dB以上のスイッチングが可能であることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-12-13
著者
-
鈴木 信夫
(株)東芝研究開発センター
-
飯塚 紀夫
(株)東芝研究開発センター
-
鈴木 信夫
(株)東芝 研究開発センター
-
金子 桂
(株)東芝 研究開発センターフロンティアリサーチラボラトリー
-
鈴木 信夫
東芝 研開セ
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