GaN系サブバンド間遷移を用いた超高速マッハ・ツェンダ干渉計光ゲート・スイッチの可能性検討
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概要
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GaN系サブバンド間遷移(ISBT)のTb/s級光スイッチヘの応用が期待されているが、光通信波長帯で十分に強い非線形吸収を得るのは、まだ困難な状況である。そこで、信号光より長波長側の強いサブバンド間吸収に伴う屈折率変化を利用したマッハ・ツェンダ干渉計(MZI)型光ゲート・スイッチの可能性を、理論的に検討した。その結果、波長1.85μm、10pJの制御光パルスの可飽和吸収により、波長1.55μmの信号光パルスのON/OFFを制御できる可能性が明らかになった。スイッチング・エネルギーは増大するが、波長1.3μmでもゲート動作可能と考えられる。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-07-19
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