金子 桂 | (株)東芝 研究開発センターフロンティアリサーチラボラトリー
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概要
関連著者
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金子 桂
(株)東芝 研究開発センターフロンティアリサーチラボラトリー
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鈴木 信夫
(株)東芝研究開発センター
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飯塚 紀夫
(株)東芝研究開発センター
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鈴木 信夫
(株)東芝 研究開発センター
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鈴木 信夫
東芝 研開セ
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櫛部 光弘
東芝研究開発センター
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勝野 弘
株式会社東芝研究開発センター
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勝野 弘
株式会社東芝 研究開発センター
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櫛部 光弘
株式会社東芝研究開発センター
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金子 桂
株式会社東芝研究開発センター
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山田 真嗣
株式会社東芝研究開発センター
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大場 康夫
株式会社東芝研究開発センター
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金子 桂
株式会社東芝 研究開発センター
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鈴木 信夫
東芝・研究開発センター
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飯塚 紀夫
東芝・研究開発センター
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金子 桂
東芝・研究開発センター
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鈴木 信夫
Advanced Discrete Semiconductor Technology Lab., Corporate R & D Center, Toshiba Corp.
著作論文
- GaN系サブバンド間遷移を利用したサブピコ秒半導体光スイッチ
- C-4-4 GaN系サブバンド間遷移光スイッチの超高速応答の理論解析(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 超高速GaN/AlNサブバンド間遷移光スイッチのシミュレーション(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 超高速GaN/AlNサブバンド間遷移光スイッチのシミュレーション(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 超高速GaN/AlNサブバンド間遷移光スイッチのシミュレーション(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 超高速GaN/AlNサブバンド間遷移光スイッチのシミュレーション(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 超高速GaN/AlNサブバンド間遷移光スイッチのシミュレーション
- GaN系サブバンド間遷移を応用したサブピコ秒光スイッチ
- サブバンド間遷移光の短波長化と展望
- AlGaN/GaN多重量子井戸におけるサブバンド間遷移
- AlGaN/GaN多重量子井戸におけるサブバンド間遷移
- GaN-based intersubband transitions for ultra fast optical switching(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]GaN-based intersubband transitions for ultra fast optical switching(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 29pYH-6 GaN/AIN 量子井戸における近赤外サブバンド間遷移 : 超高速光制御デバイスへの応用を目指して
- GaN/AlN量子井戸の作製とサブバンド間遷移の光応答特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- GaN/AlN量子井戸の作製とサブバンド間遷移の光応答特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- MBE成長GaN/AlN多重量子井戸の近赤外サブバンド間吸収
- MBE成長GaN/AlN多重量子井戸の近赤外サブバンド間吸収
- MBE成長GaN/AlN多重量子井戸の近赤外サブバンド間吸収
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- GaN系サブバンド間遷移を用いた超高速光制御デバイス
- GaN中のサブバンド間遷移を利用した超高速光ゲートの解析
- GaN中のサブバンド間遷移を利用した超高速光ゲートの解析
- GaN中のサブバンド間遷移を利用した超高速光ゲートの解析
- GaN中のサブバンド間遷移を利用した超高速光ゲｰトの解析
- 快適なLED照明空間を演出する高出力近紫外光LED
- 単結晶AlNバッファー層を用いた近紫外LEDの特性(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 単結晶AlNバッファー層を用いた近紫外LEDの特性(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)