50nm位相連続波長掃引可能なSi-MEMS可動ミラーを用いたInP系波長可変面発光レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
光通信や光応用計測のキーデバイスである、波長掃引幅が広くかつ高速掃引可能な波長可変レーザの実現を目的に、Si-MEMS技術を用いた可動凹面ミラー素子と半VCSEL素子を接合したInP系長波長帯波長可変VCSELを開発した。作製した素子において、55nmの位相連続波長掃引幅、500kHz以上の波長掃引特性、3.5mWの最大光出力、60dBのサイドモード抑圧比を実現した。
- 2008-12-05
著者
-
大山 将也
横河電機株式会社技術開発本部
-
西山 伸彦
東京工業大学 精密工学研究所
-
蒲原 敦彦
横河電機株式会社
-
手塚 信一郎
横河電機株式会社
-
平田 隆昭
横河電機(株)
-
蒲原 敦彦
横河電機(株)
-
藤村 直之
横河電機(株)
-
矢野 哲夫
横河電機(株)
-
手塚 信一郎
横河電機(株)
-
齊藤 裕己
横河電機(株)
-
野田 隆一郎
横河電機(株)
-
渡辺 哲也
横河電機株式会社
-
西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
西山 伸彦
東京工業大学大学院理工学研究科
-
渡辺 哲也
横河電機(株)
-
矢野 哲夫
横河電機株式会社技術開発本部
-
齊藤 裕己
横河電機株式会社技術開発本部
-
野田 隆一郎
横河電機株式会社技術開発本部
-
藤村 直之
横河電機株式会社技術開発本部
-
平田 隆昭
横河電機株式会社技術開発本部
-
西山 伸彦
東京工業大学
関連論文
- CLEO/QELS'99報告
- CLEO/QELS'99報告
- CLEO/QELS'99報告
- CLEO/QELS'99報告
- ファブリペロー共振器の安定性ダイヤグラムについて
- 分光分析への応用
- 事例紹介 分光分析への応用 (特集 マイクロマシン--実用化とナノ領域への展開)
- SOI基板を用いた非冷却マイクロボロメータ
- 単結晶シリコンマイクロボロメータの設計と試作
- エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- シリコンMEMSミラーを用いた波長可変面発光レーザー
- 擬似位相整合第2高調波発生方式青色光源の出力安定化方法
- 高精度ツインダイアフラム型シリコン差圧センサ
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの進展 : 高効率・低しきい値動作と強戻り光耐性(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 半導体薄膜レーザ実現に向けた半絶縁性基板上GaInAsP薄膜への横注入型レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
- OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
- C-3-7 BCB埋め込みSiスロット導波路構造を用いた温度無依存波長フィルタ(導波路デバイス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- (311)B基板上に形成したInGaAs/GaAs面発光レーザにおける高速変調時の偏波特性
- SC-2-6 多波長面発光レーザアレイ
- C-4-1 単一高次横モード面発光レーザの遠視野制御
- MOCVD成長1.3um帯GaInNAs面発光レーザ
- (311)B基板上GaInAs/GaAs完全単一モード面発光レーザアレー
- 微小共振器面発光レーザによる近接場光生成
- マイクロマシーン技術を用いた温度無依存面型光フィルタ
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- C-4-13 近接場光生成のための金属微小開口面発光レーザの製作
- SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- C-4-29 光注入同期による活性層分離型分布反射型レーザの変調帯域増大(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPべースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 光通信帯における左手系光制御素子の設計(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- C-4-34 細線状活性層を有する分布反射型レーザの反射戻り光耐性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-29 細線状活性層を有する分布反射型レーザの直接変調特性(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 50nm位相連続波長掃引可能なSi-MEMS可動ミラーを用いたInP系波長可変面発光レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 半絶縁性基板上GaInAsP/InP横注入薄膜コアレーザの室温連続動作(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- シリコンMEMSミラーを用いたInP系波長可変面発光レーザー (特集 異種材料光集積技術の現状と展望)
- 表面張力が作用する微小構造物の Pull-in 現象とその解析解について
- CI-2-4 シリコン基板上半導体レーザ・発光デバイスの現状(CI-2.シリコンフォトニクス:ビルディングブロック開発からアプリケーション構築へのステップアップ,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- テラヘルツ信号の光生成キャリアによる光信号からの直接変換(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-4-27 InP系長波長帯面発光レーザの現状(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 光通信用可変波長フィルター
- 短波長DBR半導体レーザー
- 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
- 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
- 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
- 金属微小開口をもつ面発光レｰザの近接場解析
- 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
- C-4-11 GaAs(311)B基板上低しきい値InGaAs/GaAs面発光レーザ
- 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
- 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
- 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
- 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
- グレーティング素子と量子井戸レーザを用いたモノリシック光集積センサ
- MEMS技術を用いた高速波長可変面発光レーザー
- MOCVDによるGaAs(311)B基板上低しきい値偏波制御面発光レーザ
- p型デルタドープInGaAs/GaAs量子井戸面発光レーザ
- MOCVDによるGaAs(311)B基板上低しきい値偏波制御面発光レーザ
- p形カーボンデルタドーピングを用いたInGaAs/GaAs歪み量子井戸レーザの性能向上
- p形カーボンデルタドーピングを用いたInGaAs/GaAs歪み量子井戸レーザの性能向上
- C-4-17 細線状活性層を有する分布反射型レーザの変調帯域拡大と10Gbit/s低消費電力動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-1-6 多層光回路構造実現のための異種基板積層技術とデバイス特性(CI-1.ナノフォトニクス技術のアクションアイテムズ,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)
- 細線状活性層を有する低消費電力分布反射型レーザの広変調帯域(>25Gbit/s)動作 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 細線状活性層を有する低消費電力分布反射型レーザの広変調帯域(>25Gbit/s)動作 (光エレクトロニクス)
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期
- 変位の2次項まで考慮した一自由度静電アクチュエータの近似支配方程式とその解析解
- 梁で支えられた円形薄板の付着判定条件式について
- 対称な球面鏡をもつファブリペロー共振器の回折損失について
- a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- BCB貼付によるSi基板上GaInAsP細線導波路特性(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- BCB埋め込みSi細線スロット導波路を用いた温度無依存波長フィルタ(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- メタフォトニクス素子 : 導波路型光デバイスにおける透磁率制御の可能性(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- C-4-27 金属側壁層を有するプラズモニックDFBレーザの理論解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CS-2-5 メタマテリアルを有するInP系マッハツェンダー導波路における透磁率変化の推定(CS-2.メタマテリアル技術の最新動向-材料設計から実用化に向けた取組まで-,シンポジウムセッション)
- C-3-49 BCB埋め込み温度無依存SiスロットMZI型波長フィルタの高速信号伝送(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-3-6 オンチップ光通信に向けたInP/Si貼り付け技術とその光デバイス特性(CI-3.接合技術を用いた新規集積光デバイス,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-3-50 オンチップ光配線に向けた光導波路作製(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- Stability Diagram of Higher Modes of the Fabry-Perot Resonator
- 細線状活性層を有する低消費電力分布反射型レーザの広変調帯域(>25Gbit/s)動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 細線状活性層を有する低消費電力分布反射型レーザの広変調帯域(>25Gbit/s)動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 1.3μm波長帯A1GaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3μm波長帯A1GaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3μm波長帯A1GaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3μm波長帯A1GaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- マイクロマシーニングを用いた温度無依存Add/Dropフィルタの検討
- C-4-17 横方向電流注入型半導体薄膜レーザの直接変調帯域の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-91 金属側壁層を有するInP系プラズモニック導波路の作製評価(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 共焦点光学系を用いたグルコース計測システムの開発
- 研究室だより：横河電機（株） イノベーション本部 センシング研究所