p型デルタドープInGaAs/GaAs量子井戸面発光レーザ
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概要
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本論文では, 低しきい値動作・高速変調が期待できる, 新しい構造をもつp型デルタドープ量子井戸を提案し, これを活性層にもつストライプレーザ・面発光レーザの特性について議論している.まず, 減圧有機金属気相成長法により, オートドープ法を用いたカーボンのAlAs層への高濃度ドーピング技術について述べる.p型デルタドープ3層量子井戸ストライプレーザを製作し, 最低しきい値電流密度で152A/cm^2(51A/cm^2/well)の値を得た.また, p型デルタドープ量子井戸を活性層にもつ面発光レーザを試作し, 0.37mAの低しきい値動作を実現した.今後, p型デルタ層のドーピング量を最適化することで, 更に低いしきい値動作および高速変調が期待できる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-25
著者
-
西山 伸彦
東京工業大学 精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
-
伊賀 健一
東京工業大学精密工学研究所
-
西山 伸彦
Corning Incorporated
-
西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
伊賀 健一
東京工業大学
-
羽鳥 伸明
東京工業大学精密工学研究所
-
水谷 章成
東京工業大学精密工学研究所
-
本村 典哉
東京工業大学精密工学研究所
-
西山 伸彦
東京工業大学
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