水谷 章成 | 東京工業大学精密工学研究所
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概要
関連著者
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小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
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伊賀 健一
東京工業大学精密工学研究所
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小山 二三夫
東京工業大学
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伊賀 健一
東京工業大学
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水谷 章成
東京工業大学精密工学研究所
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羽鳥 伸明
東京工業大学精密工学研究所
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西山 伸彦
東京工業大学 精密工学研究所
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西山 伸彦
Corning Incorporated
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西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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西山 伸彦
東京工業大学
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小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
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品田 聡
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
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荒井 昌和
東京工業大学精密工学研究所マイクロンステム研究センター
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松谷 晃宏
東京工業大学 精密工学研究所
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高橋 光男
Atr環境適応通信研
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江上 典文
Atr環境適応通信研
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向原 智一
東京工業大学精密光学研究所
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向原 智一
東京工業大学精密工学研究所
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大軒 紀之
東京工業大学精密工学研究所
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阿部 誠
東京工業大学精密工学研究所
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本村 典哉
東京工業大学精密工学研究所
-
松谷 晃宏
東京工業大学
著作論文
- (311)B基板上に形成したInGaAs/GaAs面発光レーザにおける高速変調時の偏波特性
- AlAs選択酸化を利用する極微構造InGaAs/GaAs面発光レーザに関する基礎的検討
- (311)基板上偏波制御面発光レーザ
- 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
- 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
- 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
- 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
- MOCVDによるGaAs(311)B基板上低しきい値偏波制御面発光レーザ
- p型デルタドープInGaAs/GaAs量子井戸面発光レーザ
- MOCVDによるGaAs(311)B基板上低しきい値偏波制御面発光レーザ
- p形カーボンデルタドーピングを用いたInGaAs/GaAs歪み量子井戸レーザの性能向上
- p形カーボンデルタドーピングを用いたInGaAs/GaAs歪み量子井戸レーザの性能向上
- 量子細線構造の面発光レーザへの適用と基礎形成技術の検討