MOCVDによるGaAs(311)B基板上低しきい値偏波制御面発光レーザ
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概要
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GaAs(311)B基板上面発光レーザは面内に非対称な利得をもち, 安定な偏波特性が期待できる.有機金属気相成長法によるGaAs(311)B基板上InGaAs面発光レーザの実現と, その高性能化を行った.まず, 成長条件の確立を行い, 面発光レーザの低抵抗化に有効な技術としてAlAsの炭素オートドーピング法を確立し2×10^<19>cm^<-3>の高濃度ドーピングを得た.また, 実際に選択酸化電流狭搾構造の面発光レーザを製作し, 傾斜基板上発光レーザで最低のしきい値電流である250μAを達成した.また, 安定な偏波特性や, 低抵抗化(抵抗率で1.2×10^<-4>Ω・cm^2)等の高性能化の見通しを得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-08-25
著者
-
西山 伸彦
東京工業大学 精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
-
伊賀 健一
東京工業大学精密工学研究所
-
西山 伸彦
Corning Incorporated
-
西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
伊賀 健一
東京工業大学
-
羽鳥 伸明
東京工業大学精密工学研究所
-
水谷 章成
東京工業大学精密工学研究所
-
西山 伸彦
東京工業大学
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