量子細線構造の面発光レーザへの適用と基礎形成技術の検討
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概要
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大規模光インターコネクト用の光源として期待される面発光レーザに, 量子細線構造を導人するための基礎検討を行った. まず, 理論解析から, 量子細線構造を活性層として用いることにより, 100A/cm^2を下回る低しきい値電流密度動作の可能性を示した. V溝を持つGaAs基板上に, 減圧有機金属気相成長法を用いてInGaAs量子細線構造を製作し, フォトルミネッセンス測定と電流注入型発光ダイオードの強度測定から, 面発光レーザの偏波制御の可能性を示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-10-08
著者
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
-
伊賀 健一
東京工業大学精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
伊賀 健一
東京工業大学
-
羽鳥 伸明
東京工業大学精密工学研究所
-
水谷 章成
東京工業大学精密工学研究所
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