米澤 英徳 | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻

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概要

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• 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻の論文著者

関連著者

• 西山 伸彦

  東京工業大学 精密工学研究所

• 荒井 滋久

  東京工業大学

• 奥村 忠嗣

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 荒井 滋久

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構

• 荒井 滋久

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 丸山 武男

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 西山 伸彦

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 西山 伸彦

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 米澤 英徳

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 米澤 英徳

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻

• 奥村 忠嗣

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻

• 奥村 忠嗣

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻

• 丸山 武男

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 丸山 武男

  金沢大学理工研究域

• 荒井 滋久

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 奥村 忠嗣

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻

• 西山 伸彦

  東京工業大学

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著作論文

• SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)

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