米澤 英徳 | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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概要
関連著者
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荒井 滋久
東京工業大学
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丸山 武男
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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米澤 英徳
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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奥村 忠嗣
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
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西山 伸彦
東京工業大学
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奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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西山 伸彦
東京工業大学 精密工学研究所
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荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
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荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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西山 伸彦
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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米澤 英徳
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻
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奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻
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奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
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丸山 武男
金沢大学大学院自然科学研究科
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丸山 武男
金沢大学理工研究域
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荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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西山 伸彦
東京工業大学電気電子工学専攻
著作論文
- SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ
- SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ