低しきい値1.3μm帯GaInAsp/InP平たん円形埋込構造面発光レーザ
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概要
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GaInAsP/InP円形埋込構造は,1.3μm帯面発光レーザの低しきい値動作,室温連続発振を実現するために有望な構造と考えられる.しかし従来の再成長過程では,円形活性領域の結晶方位に依存した穴が生じやすく,非発光電流の増大などが室温発振を困難にしていた.この問題を改善するために,本研究ではマスクなしの1回の液相再成長で形成できる平たん埋込法を円形の面発光レーザ用メサに適用した.その結果,埋込みの再現性向上および非発光電流の減少が確認され,電気的,光学的に安定したデバイス特性が得られるようになった.SiO_2/Si誘電体多層膜反射鏡でレーザ共振器を構成したとき,77K,連続条件に対して発振が得られた15個の素子のしきい値は一様に15mA以下と低く,最低値は2.2mAであった.更に室温パルス駆動に対してはしきい値34mAというこれまで報告されている中での最低値で発振し,最高45℃までの高温パルス発振,およびこれまでの最高温度である-57℃までの連続発振が得られた.今後,高熱伝導反射鏡の導入など,連続駆動時の温度上昇対策を旋すことで,室温連続発振も可能になると期待される.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-10-25
著者
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
-
伊賀 健一
東京工業大学精密工学研究所
-
鈴木 克昌
東京工業大学精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
伊賀 健一
東京工業大学
-
馬場 俊彦
横浜国立大学工学研究院
-
馬場 俊彦
東京工業大学精密工学研究所
-
余郷 幸明
東京工業大学精密工学研究所
-
馬場 俊彦
横浜国立大学大学院工学研究院:jst-crest
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