C-4-11 AR層を有した波長可変MEMS面発光レーザの波長掃引特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2013-03-05
著者
-
佐野 勇人
東京工業大学精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
松谷 晃宏
東京工業大学精密工学研究所フォトニクス集積システム研究センター
-
中濱 正統
東京工業大学精密工学研究所
-
松谷 晃宏
東京工業大学
-
坂口 孝浩
東京工業大学
-
井上 俊也
東京工業大学精密工学研究所フォトニクス集積システム研究センター
-
坂口 孝浩
東京工業大学精密工学研究所フォトニクス集積システム研究センター
関連論文
- CLEO/IQEC '98報告
- GaInAsSbカバー層を有するInAs量子ドットの面発光型デバイス応用に向けた面内偏光特性の検討(ナノ光技術・電子技術,次世代ナノテクノロジー論文)
- GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 26aE05 GaInAs量子ドットへのSb添加効果(ナノエピシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
- 全光イコライゼーションによる高速光変調の検討(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの長波長化に関する検討
- 1.3μm GaInNAs/GaAs面発光レーザの構造設計
- マイクロマシン構造を用いた面発光レーザの波長温度係数制御(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 1.2μm帯GaInAs/GaAs高密度面発光レーザアレイの波長制御(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- 多波長面発光レーザアレイ
- OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
- OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
- (311)B基板上に形成したInGaAs/GaAs面発光レーザにおける高速変調時の偏波特性
- 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 可飽和吸収体を有する垂直微小共振器構造を用いた光非線形位相補償デバイス(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 可飽和吸収体を有する垂直微小共振器構造を用いた光非線形位相補償デバイス(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- SC-2-6 多波長面発光レーザアレイ
- C-4-1 単一高次横モード面発光レーザの遠視野制御
- MOCVD成長1.3um帯GaInNAs面発光レーザ
- (311)B基板上GaInAs/GaAs完全単一モード面発光レーザアレー
- 微小共振器面発光レーザによる近接場光生成
- マイクロマシーン技術を用いた温度無依存面型光フィルタ
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- C-4-13 近接場光生成のための金属微小開口面発光レーザの製作
- 面発光レーザーの研究開発と進展
- GaN系青色面発光レーザ用共振器の形成と評価(紫外発光材料の現状と将来)
- GaN系青色面発光レーザ用共振器の形成と評価 : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
- マイクロオプティカルベンチによる2次元並列光インタコネクトモジュール構成法
- 微小コーナ反射鏡の有限要素法解析とその光デバイスへの応用
- 半導体光増幅器を用いたスペクトルスライス光の雑音抑圧
- C-4-29 横方向量子構造混晶化による面発光レーザの特性向上(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- OECC2010報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- OECC2010報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- OECC2010報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- OECC2010報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 面発光レーザとスローライト光デバイスの新しい集積構造の提案(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-8 中空導波路集積型DBRレーザのアサーマル動作の基礎検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 面発光レーザとスローライト光デバイスの新しい集積構造の提案(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 面発光レーザとスローライト光デバイスの新しい集積構造の提案(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 面発光レーザとスローライト光デバイスの新しい集積構造の提案(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- AlAs選択酸化を利用する極微構造InGaAs/GaAs面発光レーザに関する基礎的検討
- (311)A面GaAs基板上面発光レーザの出力偏波特性
- (311)A面InGaAs/GaAs歪量子井戸面発光レーザの発振特性
- Modelling of VCSELs Including Carrier Diffusion and Diffraction Losses
- (311)A面上面発光レーザの発振特性一偏波制御と低しきい値化の実現一
- 極微構造 InGaAs/GaAs 面発光レーザの低しきい値動作
- 極微InGaAs/GaAs面発光レーザの低しきい値化
- MOCVD成長InGaAs/GaAs面発光レーザの低しきい値動作
- 金属/半導体偏光子を用いた面発光レーザの偏波制御
- 1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 化学ビーム成長(CBE)法によるGaInAsP/InP結晶成長と面発光レーザへの応用
- 化学ビームエピタキシ(CBE)法による面発光レーザのためのGaInAs/InP膜厚の制御
- C-4-53 ASE 光変調を用いた光前置増幅器の構造最適化
- 半導体光増幅器を用いたスペクトルスライス光の雑音抑圧
- C-4-7 半導体光増幅器のASE光変換を用いた前置増幅器の動特性評価
- テーパー中空導波路を用いた多波長面発光レーザアレイの合波器の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- テーパー中空導波路を用いた多波長面発光レーザアレイの合波器の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- CLEO/QELS 2000報告
- C-3-67 横方向結合を用いた面発光レーザとスローライト光デバイス集積化の検討II(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 「半導体面発光レーザーの現状」特集号に寄せて
- C-4-20 高屈折率差サブ波長回折格子を用いた多波長面発光レーザの波長域拡大の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-73 横方向結合を用いた面発光レーザとスローライト光変調器集積化の検討(光変調器,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- Bragg 反射鏡導波路におけるスローライトを用いた光回路
- C-3-16 結合導波路を利用した低分散スローライト光スイッチ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-45 マイクロミラーを用いたスローライト光導波路への結合II(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-69 多波長面発光レーザアレイと集積可能な小型光合波器の検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- スローライトを利用した新しい導波路型光スイッチ(光エレクトロニクス)
- C-3-22 可変中空光導波路を用いた光回路(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-27 スローライト光導波路における挿入損失の偏光依存性(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-28 マイクロミラーを用いたスローライト光導波路への結合(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 全光イコライゼーションによる高速光変調の検討
- 全光イコライゼーションによる高速光変調の検討(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大と波長可変動作 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大と波長可変動作 (光エレクトロニクス)
- MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大と波長可変動作 (電子部品・材料)
- MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大と波長可変動作 (機構デバイス)
- マイクロマシン構造を用いた面発光レーザの波長制御(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大と波長可変動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大と波長可変動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大と波長可変動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大と波長可変動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長可変面発光レーザとスローライト光増幅器の平面集積構造の検討 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 波長可変面発光レーザとスローライト光増幅器の平面集積構造の検討 (光エレクトロニクス)
- 波長可変面発光レーザとスローライト光増幅器の平面集積構造の検討 (電子部品・材料)
- 波長可変面発光レーザとスローライト光増幅器の平面集積構造の検討 (機構デバイス)
- 波長可変面発光レーザとスローライト光増幅器の平面集積構造の検討 (信頼性)
- 波長可変面発光レーザとスローライト光増幅器の平面集積構造の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 波長可変面発光レーザとスローライト光増幅器の平面集積構造の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 波長可変面発光レーザとスローライト光増幅器の平面集積構造の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 波長可変面発光レーザとスローライト光増幅器の平面集積構造の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 波長可変面発光レーザとスローライト光増幅器の平面集積構造の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- C-4-11 AR層を有した波長可変MEMS面発光レーザの波長掃引特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-10 T字型熱駆動マイクロマシンによる面発光レーザの波長温度係数の精密制御と波長可変動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)