窒化物共振型紫外線受光素子の設計とRF-MBE法によるAlGaN系DBRの試作
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概要
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共振型受光素子は、受光感度の波長選択性と高い量子効率が期待される。ここではAlGaN系半導体を用いた共振型紫外線受光素子の理論解析を行い、量子効率の構造依存性や波長選択性に対する基礎的検討を行った。また、RFプラズマにより活性化した窒素ガスを原料とするRF分子線エピタキシー法を用いて、波長444nm及び377nmにおけるAlGaN系半導体多層膜反射鏡(DBR)を試作したところ、それぞれ95%と92%という高い反射率が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-02-23
著者
-
山田 隆之
上智大学理工学部電気電子工学科
-
菊池 昭彦
上智大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻
-
中村 進一
上智大学理工学部電気電子工学科
-
草部 一秀
千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻
-
豊浦 洋祐
上智大学 理工学部 電気電子工学科
-
草部 一秀
上智大学 理工学部 電気電子工学科
-
中村 進一
上智大学 理工学部 電気電子工学科
-
杉原 大輔
上智大学 理工学部 電気電子工学科
-
山田 隆之
上智大学 理工学部 電気電子工学科
-
岸野 克己
上智大学 理工学部 電気電子工学科
-
豊浦 洋祐
上智大学理工学部電気電子工学科
-
草部 一秀
上智大学理工学部電気電子工学科
-
杉原 大輔
上智大学理工学部電気電子工学科
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