InNの非輻射性キャリア再結合過程におけるキャリア輸送及び熱活性化過程の影響(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
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概要
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InNのバンド端発光効率低下を引き起こす深い準位を介したキャリア状態遷移過程について、熱活性型状態遷移過程、非輻射性再結合中心となる欠陥へのキャリア輸送過程に着目して解析を行った。禁制帯中央付近に位置する準位を介した輻射再結合が観測されたが、主要な発光効率低減過程はフォノン放出を伴う非輻射再結合であることが分かり、電子捕獲型の欠陥が非輻射再結合中心の候補と考えられる。またn型試料とp型試料の発光強度差は少数キャリア拡散長および配位場座標系に現れる状態遷移過程の支配的活性化エネルギーの違いを反映していると考えられる。InNでは非輻射再結合速度決定機構において熱活性化過程およびキャリア輸送過程が大きな影響を及ぼしている。
- 2012-11-22
著者
-
石谷 善博
千葉大学大学院工学研究科
-
草部 一秀
千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻
-
吉川 明彦
千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻
-
吉川 明彦
千葉大学スマートグリーンイノベーション研究拠点
-
草部 一秀
千葉大学スマートグリーンイノベーション研究拠点
-
今井 大地
千葉大学大学院工学研究科
-
王 新強
北京大学物理学院
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