新規ナノ構造発光デバイス開発に向けた、1分子層InN井戸/GaNマトリクス多重量子井戸構造の作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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概要
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RF-MBE法によるGa極性GaN上のInN超薄膜成長メカニズムを明らかにするするため、InN供給量に対するInN層厚の依存性の調査と、RHEED、SEによるInN成長、脱離過程のリアルタイムその場観察を行った。それらの結果から、成長温度650℃ではInN供給量を多くしても、InN層厚は2分子層以下にセルフリミットされる機構を発見した。また、このInN層厚のセルフリミット機構はGaNマトリクス効果によって起きていることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-10-04
著者
-
崔 成伯
千葉大学大学院工学研究科
-
結城 明彦
千葉大学大学院工学研究科
-
石谷 善博
千葉大学大学院工学研究科
-
吉川 明彦
千葉大学大学院工学研究科
-
橋本 直樹
株式会社富士通研究所
-
橋本 直樹
玉川大学工学部
-
橋本 直樹
千葉大学大学院工学研究科
-
斉藤 英幸
千葉大学大学院工学研究科
-
王 新強
JST-CREST千葉大学InNプロジェクト
-
吉川 明彦
千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻
-
橋本 直樹
弘前大学医学部第二外科:弘前大学医学部小児外科
-
王 新強
千葉大学大学院工学研究科
-
石谷 善博
千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻
-
橋本 直樹
兵庫県立粒子線医療センター放射線科
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