石谷 善博 | 千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻
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概要
関連著者
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石谷 善博
千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻
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吉川 明彦
千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻
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石谷 善博
千葉大学大学院工学研究科
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崔 成伯
千葉大学大学院工学研究科
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吉川 明彦
千葉大学大学院工学研究科
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王 新強
千葉大学大学院工学研究科
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結城 明彦
千葉大学大学院工学研究科
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崔 成伯
千葉大学工学部電子機械工学科
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石谷 善博
千葉大学工学部電子機械工学科
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吉川 明彦
千葉大学工学部電子機械工学科
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吉川 明彦
千葉大学工学部
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橋本 直樹
株式会社富士通研究所
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橋本 直樹
玉川大学工学部
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草部 一秀
千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻
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橋本 直樹
千葉大学大学院工学研究科
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橋本 直樹
弘前大学医学部第二外科:弘前大学医学部小児外科
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橋本 直樹
兵庫県立粒子線医療センター放射線科
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寺嶋 亘
千葉大学工学部電子機械工学科
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王 新強
JST-CREST千葉大学InNプロジェクト
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渡邊 宏志
千葉大学大学院工学研究科
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斉藤 英幸
千葉大学大学院工学研究科
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草部 一秀
上智大学理工学部電気電子工学科
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吉川 明彦
千葉大学スマートグリーンイノベーション研究拠点
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草部 一秀
千葉大学スマートグリーンイノベーション研究拠点
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今井 大地
千葉大学大学院工学研究科
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王 新強
北京大学物理学院
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味村 裕
千葉大学工学部電子機械工学科
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寺崎 亘
千葉大vbl
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崔 成伯
千葉大工
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橋本 直樹
JST-CREST千葉大学
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石谷 善博
JST-CREST千葉大学
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吉川 明彦
JST-CREST千葉大学
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橋本 直樹
千葉大学工学部
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菊川 直博
千葉大学工学部
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吉谷 昌慶
千葉大学工学部
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赤坂 康一郎
千葉大学工学部
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王 新強
千葉大学VBL
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藤原 昌幸
千葉大学大学院工学研究科電気電子コース
著作論文
- 超薄膜InN/(In)GaN量子井戸活性層を用いた新規青緑域発光デバイス(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- InNの結晶欠陥とキャリアダイナミクス(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- InN系窒化物半導体超薄膜非対称量子井戸構造の新規光デバイス開発に向けて : 発光素子から太陽電池への展開(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法により成長したAlInN薄膜のCL測定による評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- AlInN系3元混晶の成長とInN/AlInN MQWs構造の作製評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlInN系3元混晶の成長とInN/AlInN MQWs構造の作製評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlInN系3元混晶の成長とInN/AlInN MQWs構造の作製評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 新規ナノ構造発光デバイス開発に向けた、1分子層InN井戸/GaNマトリクス多重量子井戸構造の作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 新規ナノ構造発光デバイス開発に向けた、1分子層InN井戸/GaNマトリクス多重量子井戸構造の作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 新規ナノ構造発光デバイス開発に向けた、1分子層InN井戸/GaNマトリクス多重量子井戸構造の作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- CS-6-1 分子線エピタキシー法によるInN系窒化物半導体量子井戸構造の作製と評価(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- RF-MBE法を用いたN極性GaN上へのInNドット成長の観察 : N極性InNドット成長メカニズムの考察(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- InN系窒化物半導体超薄膜非対称量子井戸構造の新規光デバイス開発に向けて : 発光素子から太陽電池への展開(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- InN系窒化物半導体超薄膜非対称量子井戸構造の新規光デバイス開発に向けて : 発光素子から太陽電池への展開(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 超薄膜InN/(In)GaN量子井戸活性層を用いた新規青緑域発光デバイス(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 超薄膜InN/(In)GaN量子井戸活性層を用いた新規青緑域発光デバイス(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- P型伝導InN実現とその物性評価 : 現状と問題点について(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- P型伝導InN実現とその物性評価 : 現状と問題点について(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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- その場観察分光エリプソメトリーによるRF-MBE成長InNの成長表面ストイキオメトリー制御(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- InNの非輻射性キャリア再結合過程におけるキャリア輸送及び熱活性化過程の影響 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- InNの非輻射性キャリア再結合過程におけるキャリア輸送及び熱活性化過程の影響 (電子デバイス)
- InNの非輻射性キャリア再結合過程におけるキャリア輸送及び熱活性化過程の影響(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- InNの非輻射性キャリア再結合過程におけるキャリア輸送及び熱活性化過程の影響(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)