草部 一秀 | 上智大学理工学部電気電子工学科
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概要
関連著者
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草部 一秀
千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻
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草部 一秀
上智大学理工学部電気電子工学科
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中村 進一
上智大学理工学部電気電子工学科
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杉原 大輔
上智大学理工学部電気電子工学科
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石谷 善博
千葉大学大学院工学研究科
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吉川 明彦
千葉大学大学院工学研究科
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山田 隆之
上智大学理工学部電気電子工学科
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佐々本 一
上智大学電気電子工学科
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杉原 大輔
上智大学電気電子工学科
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菊池 昭彦
上智大学電気電子工学科
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草部 一秀
上智大学電気電子工学科
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久志 公一
上智大学電気電子工学科
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中村 進一
上智大学電気電子工学科
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岸野 克巳
上智大学電気電子工学科
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吉川 明彦
千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻
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豊浦 洋祐
上智大学理工学部電気電子工学科
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石谷 善博
千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻
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菊池 昭彦
上智大学理工学部
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岸野 克巳
上智大学理工学部
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菊池 昭彦
上智大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻
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豊浦 洋祐
上智大学 理工学部 電気電子工学科
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草部 一秀
上智大学 理工学部 電気電子工学科
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中村 進一
上智大学 理工学部 電気電子工学科
-
杉原 大輔
上智大学 理工学部 電気電子工学科
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山田 隆之
上智大学 理工学部 電気電子工学科
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岸野 克己
上智大学 理工学部 電気電子工学科
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菊池 昭彦
上智大学理工:上智ナノテク
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岸野 克巳
上智大学理工:上智ナノテク
著作論文
- InN系窒化物半導体超薄膜非対称量子井戸構造の新規光デバイス開発に向けて : 発光素子から太陽電池への展開(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法によるMEE成長バッファ層を用いたGaNの高速度成長
- RF-MBE法によるMEE成長バッファ層を用いたGaNの高速度成長
- InN系窒化物半導体超薄膜非対称量子井戸構造の新規光デバイス開発に向けて : 発光素子から太陽電池への展開(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 窒化物共振型紫外線受光素子の設計とRF-MBE法によるAlGaN系DBRの試作
- 窒化物系共振型紫外線受光素子の設計とRF-MBE法によるAlGaN系DBRの試作