RF-MBE法によるMEE成長バッファ層を用いたGaNの高速度成長

概要

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RFラジカル窒素と金属Gaを原料とするRF分子線エピタキシー(RF-MBE)法を用いてMigration Enhanced Epitaxy(MEE)法によるGaNの成長を行うと、ピットなどの無い平坦な表面ホモロジーが得られた。このMEE GaNをバッファ層に用いてGaと窒素を同時に供給する通常のMBE法による1.2μm/hrの高速度成長で厚さ3.5μmのSiドープGaNを成長したところ、室温におけるキャリア密度1.2×10^<17>cm^<-3>、移動度372cm^2/VSが得られた。15Kにおけるフォトルミネッセンス測定では、357nm付近に自由励起子及び中性ドナ束縛励起子に起因する鋭い発光が確認された。一方、550〜580nm付近のブロードな発光は全く見られなかった。また、RF-MBE法によるGaNの2.6μm/hrという高速度成長も達成され、SiドープGaNのn型キャリア密度が4.9×10^<15>〜5.3×10^<20>cm^<-3>広い範囲で制御可能であることを確認した。
社団法人電子情報通信学会の論文
1998-11-06