CS-6-1 分子線エピタキシー法によるInN系窒化物半導体量子井戸構造の作製と評価(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-09-07
著者
-
崔 成伯
千葉大学大学院工学研究科
-
橋本 直樹
株式会社富士通研究所
-
橋本 直樹
玉川大学工学部
-
寺崎 亘
千葉大vbl
-
橋本 直樹
千葉大学大学院工学研究科
-
王 新強
JST-CREST千葉大学InNプロジェクト
-
崔 成伯
千葉大工
-
橋本 直樹
JST-CREST千葉大学
-
石谷 善博
JST-CREST千葉大学
-
吉川 明彦
JST-CREST千葉大学
-
吉川 明彦
千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻
-
橋本 直樹
弘前大学医学部第二外科:弘前大学医学部小児外科
-
王 新強
千葉大学大学院工学研究科
-
石谷 善博
千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻
-
橋本 直樹
兵庫県立粒子線医療センター放射線科
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