その場観察分光エリプソメトリーによるRF-MBE成長InNの成長表面ストイキオメトリー制御(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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概要
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高品質InN結晶を得るためにはInNの分解温度を考慮しつつ可能な限り高温で成長することが望ましいと考えられる.このような条件下ではInN成長表面の厳密なv/III族供給比制御が不可欠である.本研究ではRF-MBE成長InNの表面ストイキオメトリー状態をその場観察分光エリプソメトリーを用いて観測した.得られた擬誘電関数<ε>は成長表面状態とV/III族供給比に強く依存しており,これらの測定結果から表面ストイキオメトリー状態を実時間で評価できた.この実時間制御法は,高品質かつ厚膜(5ミクロン以上)InN結晶を得る上で非常に有効な手法だった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-14
著者
-
崔 成伯
千葉大学大学院工学研究科
-
崔 成伯
千葉大学工学部電子機械工学科
-
石谷 善博
千葉大学工学部電子機械工学科
-
吉川 明彦
千葉大学工学部
-
王 新強
千葉大学大学院工学研究科
-
吉谷 昌慶
千葉大学工学部
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赤坂 康一郎
千葉大学工学部
-
王 新強
千葉大学VBL
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