吉川 明彦 | 千葉大学工学部
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概要
関連著者
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吉川 明彦
千葉大学工学部
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吉川 明彦
千葉大学工学部電子機械工学科
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崔 成伯
千葉大学大学院工学研究科
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崔 成伯
千葉大学工学部電子機械工学科
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石谷 善博
千葉大学工学部電子機械工学科
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吉川 明彦
千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻
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石谷 善博
千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻
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寺嶋 亘
千葉大学工学部電子機械工学科
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石谷 善博
千葉大学大学院工学研究科
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橋本 直樹
株式会社富士通研究所
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橋本 直樹
玉川大学工学部
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橋本 直樹
千葉大学大学院工学研究科
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橋本 直樹
千葉大学工学部
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菊川 直博
千葉大学工学部
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橋本 直樹
弘前大学医学部第二外科:弘前大学医学部小児外科
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王 新強
千葉大学大学院工学研究科
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吉谷 昌慶
千葉大学工学部
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赤坂 康一郎
千葉大学工学部
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王 新強
千葉大学VBL
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橋本 直樹
兵庫県立粒子線医療センター放射線科
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小林 正和
千葉大学工学部電子機械工学科
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賈 岸偉
千葉大学工学部電子機械工学科
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佐藤 弘人
NHK放送技術研究所
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菊池 宏
NHK放送技術研究所
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藤掛 英夫
NHK放送技術研究所
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栗田 泰市郎
NHK放送技術研究所
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佐藤 史郎
NHK放送技術研究所
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佐藤 史郎
東京理科大学
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菊地 宏
三菱電機株式会社
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村重 毅
NHK放送技術研究所
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村重 毅
Nhk放送技術研究所:(現)日東電工株式会社
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味村 裕
千葉大学工学部電子機械工学科
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泰 志新
千葉大学工学部電子機械工学科
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永野 元
千葉大学工学部電気電子工学科
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奏 志新
千葉大学工学部電気電子工学科
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加藤 嘉則
千葉大学工学部電気電子工学科
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佐藤 史郎
NHK技研
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重村 毅
東京理科大学
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松本 友孝
千葉大学工学部電子工学科
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吉川 明彦
千葉大学工学部電子工学科
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菊池 宏
日本放送協会放送技術研究所表示・機能素子研究部
著作論文
- RF-MBE法により成長したAlInN薄膜のCL測定による評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- AlInN系3元混晶の成長とInN/AlInN MQWs構造の作製評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlInN系3元混晶の成長とInN/AlInN MQWs構造の作製評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlInN系3元混晶の成長とInN/AlInN MQWs構造の作製評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法を用いたN極性GaN上へのInNドット成長の観察 : N極性InNドット成長メカニズムの考察(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF-MBE法を用いたN極性GaN上へのInNドット成長の観察 : N極性InNドット成長メカニズムの考察(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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- 局所的な光重合相分離により液晶中に形成されたポリマの形態評価
- 原子状水素によるGaAs(001)基板表面の超平坦化と純立方晶GaNの分子線エピタキシャル成長
- 原子状水素を用いて表面処理を行ったGaAs(001)基板上への高品質立方晶GaNのMBE成長
- その場観察分光エリプソメトリーによるRF-MBE成長InNの成長表面ストイキオメトリー制御(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- その場観察分光エリプソメトリーによるRF-MBE成長InNの成長表面ストイキオメトリー制御(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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- 対向陰極型直流マグネトロン放電プラズマCVD装置